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龙图腾网恭喜泉州市三安集成电路有限公司申请的专利Bi-HEMT器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113838848B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111257000.6，技术领域涉及：H10D84/40；该发明授权Bi-HEMT器件及其制备方法是由黄治浩;魏鸿基;郭佳衢设计研发完成，并于2021-10-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本Bi-HEMT器件及其制备方法在说明书摘要公布了：一种Bi‑HEMT器件及其制备方法，涉及半导体技术领域。该Bi‑HEMT器件包括具有第一区域、第二区域和第三区域的衬底、形成于第一区域上的HBT器件、形成于第二区域上的P型沟道FET器件以及形成于第三区域上的pHEMT器件；其中，第一区域、第二区域和第三区域两两隔离设置，且P型沟道FET器件位于HBT器件和pHEMT器件之间。该Bi‑HEMT器件能够降低器件的漏电流。

本发明授权Bi-HEMT器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种Bi-HEMT器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：在衬底上依次形成外延结构、第一接触层、N+层、N-层和第二接触层，以得到第一器件，所述第一器件具有第一区域、第三区域和位于所述第一区域和所述第三区域之间的第二区域；在所述第一器件的第一区域上形成间隔设置的发射极层和基极，在所述发射极层上形成发射极，在所述第一器件的第二区域上形成间隔设置的FET漏极和FET源极；刻蚀露出的所述第二接触层，以露出位于所述FET漏极和所述FET源极之间的N-层、所述基极和所述FET漏极之间的N-层；刻蚀露出的所述N-层，以露出位于所述基极和所述FET漏极之间的N+层、所述FET源极远离所述FET漏极一侧的N+层，并在位于所述FET源极远离所述FET漏极一侧的N+层上形成FET栅极、在露出的所述第一区域的N+层上形成集电极；刻蚀露出的所述N+层，以将位于所述第一区域的N+层和位于所述第二区域的N+层隔离；在所述第三区域的第一接触层上形成间隔的pHEMT源极和pHEMT漏极；刻蚀所述pHEMT源极和所述pHEMT漏极之间的第一接触层，并在露出的所述第一接触层上形成pHEMT栅极；对所述外延结构和所述衬底进行离子注入并在所述第一区域、所述第二区域和所述第三区域之间形成隔离区域，得到HBT器件、pHEMT器件以及位于所述HBT器件和所述pHEMT器件之间的P型沟道FET器件；其中，所述对所述外延结构和所述衬底进行离子注入并在所述第一区域、所述第二区域和所述第三区域之间形成隔离区域，得到HBT器件、pHEMT器件以及位于所述HBT器件和所述pHEMT器件之间的P型沟道FET器件包括：分别对所述第一接触层、所述外延结构和所述衬底进行离子注入以将所述第一区域、所述第二区域和所述第三区域相互隔离，以得到第二器件；在所述第二器件远离所述衬底的一面沉积氮化硅层；刻蚀所述氮化硅层，以形成露出位于所述FET漏极和FET源极之间的部分N-层的第一窗口；在露出的所述N-层上形成FET顶栅；去除所述氮化硅层，得到HBT器件、pHEMT器件以及位于所述HBT器件和所述pHEMT器件之间的P型沟道FET器件，其中，所述P型沟道FET器件为MESFET器件。

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