恭喜河南工程学院武兴会获国家专利权
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龙图腾网恭喜河南工程学院申请的专利一种操作电压可调控的阻变存储器及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114005931B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111087734.4，技术领域涉及：H10B63/00；该发明授权一种操作电压可调控的阻变存储器及制备方法是由武兴会;崔娜娜;陈朝阳;张秋慧;王治骁;黄文祥设计研发完成，并于2021-09-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种操作电压可调控的阻变存储器及制备方法在说明书摘要公布了：本发明专利公开了一种操作电压可调控的阻变存储器及制备方法，包括自下而上依次设置的衬底、底电极、阻变层和顶电极，阻变层是掺杂有W的Ta2O5薄膜，其厚度为40‑120nm，顶电极和底电极分别为金属W和Pt，衬底材料为TiSiO2Si；本发明通过W元素对Ta2O5掺杂，通过掺杂改变Ta2O5中氧空位的形成能和扩散势垒能，进而改变氧空位扩散激活能，实现对氧空位的扩散激活能的调控，进而对器件的操作电压进行调控，达到控制RRAM器件操作电压的目的。
本发明授权一种操作电压可调控的阻变存储器及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种操作电压可调控的阻变存储器制备方法，其步骤是：步骤一、TiSiO2Si衬底清洗；步骤二、使用电子束蒸发一层Pt薄膜，形成底电极；步骤三、通过乙醇钽、WCl6和2-乙氧基乙醇制备旋涂溶液，将溶液通过0.2mm超滤膜过滤器过滤并静置16小时形成以进行薄膜旋涂的溶胶，将溶胶在3000~4500rpm持续30~45秒旋涂，然后在60℃下退火30~60分钟，形成阻变层，阻变层是掺杂有W的Ta2O5薄膜；步骤四、使用磁控溅射技术，在阻变层上沉积一层金属W，形成顶电极。
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