恭喜DIC株式会社伊部武史获国家专利权
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龙图腾网恭喜DIC株式会社申请的专利层间绝缘膜制造用涂布组合物、层间绝缘膜、及半导体元件、以及层间绝缘膜的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115210853B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180017254.2，技术领域涉及：H01L21/312；该发明授权层间绝缘膜制造用涂布组合物、层间绝缘膜、及半导体元件、以及层间绝缘膜的制造方法是由伊部武史;今田知之设计研发完成，并于2021-02-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本层间绝缘膜制造用涂布组合物、层间绝缘膜、及半导体元件、以及层间绝缘膜的制造方法在说明书摘要公布了：提供能够以高生产率制造具有高杨氏模量和低相对介电常数的进行了图案形成的层间绝缘膜的层间绝缘膜制造用涂布组合物、及层间绝缘膜的制造方法、以及具有该层间绝缘膜的半导体元件。具体而言，一种层间绝缘膜制造用涂布组合物，其含有聚合性化合物A和光聚合引发剂B，所述聚合性化合物A为具有2个以上聚合性基团的聚合性硅化合物，前述2个以上聚合性基团中的至少1个为*‑O‑R‑Y所示的聚合性基团Q*表示对硅原子的键合，R表示单键、任选包含杂原子的非取代或取代的碳数1～12的亚烷基、或亚苯基，Y表示聚合性基团。
本发明授权层间绝缘膜制造用涂布组合物、层间绝缘膜、及半导体元件、以及层间绝缘膜的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种层间绝缘膜的制造方法，其具有：工序A，将含有聚合性化合物A和光聚合引发剂B的层间绝缘膜制造用涂布组合物涂布于基材上；工序B，将形成有凹凸图案的压印用模具按压于所述层间绝缘膜制造用涂布组合物的表面；工序C，使所述层间绝缘膜制造用涂布组合物光固化；工序D，将所述压印用模具脱模；和工序E，将所述层间绝缘膜制造用涂布组合物在250℃以上进行烘烤，形成层间绝缘膜，所述聚合性化合物A为具有2个以上聚合性基团的聚合性硅化合物，所述2个以上聚合性基团中的至少1个为下述式1所示的聚合性基团Q，*-O-R-Y···1所述式1中，*表示对硅原子的键合，R表示单键、任选包含杂原子的非取代或取代的碳数1～12的亚烷基、或亚苯基，Y表示聚合性基团。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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