恭喜台湾积体电路制造股份有限公司陈世宪获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利集成芯片、集成电路、存储单元及形成存储器装置的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113421883B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110110471.8，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权集成芯片、集成电路、存储单元及形成存储器装置的方法是由陈世宪;柯钧耀;徐英杰设计研发完成，并于2021-01-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本集成芯片、集成电路、存储单元及形成存储器装置的方法在说明书摘要公布了：本公开的各种实施例针对一种集成芯片，其包括设置在衬底内的第一井区、第二井区和第三井区。第二井区在横向上在第一井区和第三井区之间。隔离结构设置在衬底内并且横向地围绕第一、第二和第三井区。浮置栅极上覆衬底并且从第一井区横向延伸到第三井区。介电结构设置在浮置栅极下方。位线写入区设置在第二井区内，并且包括设置在浮置栅极的相对侧上的源极漏极区。位线读取区设置在第二井区域内，且与位线写入区横向地偏移非零距离，并且包括设置在浮置栅极的相对侧上的源极漏极区域。
本发明授权集成芯片、集成电路、存储单元及形成存储器装置的方法在权利要求书中公布了：1.一种集成芯片，包括：第一井区、第二井区以及第三井区，设置于衬底内，其中所述第二井区在所述第一井区与所述第三井区之间横向地隔开；隔离结构，设置在所述衬底的一正面内，其中所述隔离结构横向地围绕所述第一井区、所述第二井区和所述第三井区；浮置栅极，上覆在所述衬底的所述正面，其中所述浮置栅极连续地从所述第一井区横向延伸到所述第三井区；介电结构，设置在所述衬底和所述浮置栅极之间；位线写入区，设置在所述第二井区内，其中所述位线写入区包括设置在所述浮置栅极的相对侧上的源极漏极区；以及位线读取区，设置在所述第二井区内并且与所述位线写入区横向地偏移非零距离，其中所述位线读取区包括设置在所述浮置栅极的所述相对侧上的源极漏极区。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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