恭喜武汉联影医疗科技有限公司柳玉锋获国家专利权
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龙图腾网恭喜武汉联影医疗科技有限公司申请的专利高压发生器及X射线设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112074068B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011040181.2，技术领域涉及：H05G1/54；该发明授权高压发生器及X射线设备是由柳玉锋;祝国平设计研发完成，并于2020-09-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本高压发生器及X射线设备在说明书摘要公布了：本申请提供了一种高压发生器及X射线设备。所述高压发生器包括：二极管阵列、屏蔽器件以及栅控电源。所述屏蔽器件与所述二极管阵列间隔设置。所述屏蔽器件在第一方向的投影至少部分覆盖所述二极管阵列。所述栅控电源与所述屏蔽器件间隔设置。所述栅控电源与所述二极管阵列电连接。所述屏蔽器件设置于所述二极管阵列和所述栅控电源之间。本申请可通过所述屏蔽器件减小所述二极管阵列与所述栅控电源之间的寄生电容，同时增加所述二极管阵列对屏蔽器件的寄生电容，从而在打火时可有效保护所述二极管阵列，避免所述二极管阵列因打火时产生的电压突变而损坏。
本发明授权高压发生器及X射线设备在权利要求书中公布了：1.一种高压发生器，其特征在于，包括：二极管阵列；屏蔽器件，与所述二极管阵列间隔设置；以及栅控电源，与所述屏蔽器件间隔设置，与所述二极管阵列电连接，所述屏蔽器件设置于所述二极管阵列和所述栅控电源之间,且所述屏蔽器件在第一方向的投影至少部分覆盖所述二极管阵列；其中，所述屏蔽器件用于减小所述二极管阵列与所述栅控电源之间的寄生电容，同时增加所述二极管阵列对所述屏蔽器件的寄生电容；其中，所述第一方向是指：垂直于所述栅控电源与所述屏蔽器件相对的侧面所在平面的方向。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人武汉联影医疗科技有限公司，其通讯地址为：430206 湖北省武汉市东湖高新技术开发区高科园路99号联影医疗总部基地；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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