恭喜长鑫存储技术有限公司萧礼明获国家专利权
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龙图腾网恭喜长鑫存储技术有限公司申请的专利晶圆的晶片布局计算方法、装置、介质与设备获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114239467B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202010939198.5,技术领域涉及:G06F30/392;该发明授权晶圆的晶片布局计算方法、装置、介质与设备是由萧礼明;陈晨设计研发完成,并于2020-09-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本晶圆的晶片布局计算方法、装置、介质与设备在说明书摘要公布了:本公开提供了一种晶圆的晶片布局计算方法、装置、介质与设备,属于半导体技术领域。该方法包括:基于各晶片的分布阵列,以任一晶片为基准晶片,按照第一步长在预设区域内移动晶圆中心,以确定每次移动后的第一覆盖区域,并根据该覆盖区域中完整晶片的数量确定基准晶片的可行区域;按照第二步长在可行区域中移动晶圆中心,以确定每次移动后的第二覆盖区域,并在该覆盖区域中确定完整晶片的最大数量;按照光刻机单次曝光区域的晶片位置分布图案,将基准晶片依次置于单次曝光区域内的不同位置,以确定曝光全部晶片的最小曝光次数;根据最大数量和最小曝光次数,确定各晶片的位置,以生成晶片布局。本公开可以提高计算最大晶片数的准确率和效率。
本发明授权晶圆的晶片布局计算方法、装置、介质与设备在权利要求书中公布了:1.一种晶圆的晶片布局计算方法,其特征在于,所述方法包括:基于晶圆中各晶片的分布阵列,以所述分布阵列中的任一晶片为基准晶片,按照第一步长在所述基准晶片的预设区域内移动晶圆中心;在每次移动后,根据所述晶圆中心的当前位置确定所述晶圆的第一覆盖区域,并计算所述第一覆盖区域中完整晶片的数量;当所述完整晶片的数量最大时,确定所述晶圆中心的位置,并将由所述晶圆中心构成的晶圆区域确定为可行区域;按照第二步长在所述可行区域中移动所述晶圆中心,以确定每次移动后所述晶圆的第二覆盖区域,并在所述第二覆盖区域中确定完整晶片的最大数量;在确定所述完整晶片的最大数量后,按照光刻机单次曝光区域的晶片位置分布图案,将所述基准晶片依次置于所述单次曝光区域内的不同晶片位置,以确定曝光全部晶片的最小曝光次数;根据所述完整晶片的最大数量和所述全部晶片的最小曝光次数,确定所述晶圆中各晶片的位置,以生成所述晶圆的晶片布局。
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