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龙图腾网恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114141620B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010917285.0，技术领域涉及：H01L21/308；该发明授权半导体结构的形成方法是由赵君红设计研发完成，并于2020-09-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，所述基底包括：第一区和第二区，且所述第一区上具有第一鳍部，所述第二区上具有第二鳍部；在基底上形成覆盖所述第二鳍部顶部和侧壁的第一掩膜层以及位于所述第一掩膜层的开口，且所述开口暴露出第一鳍部顶部表面和侧壁表面；在所述开口内形成覆盖所述第一鳍部侧壁的第二掩膜层，所述第二掩膜层暴露出所述第一鳍部的顶部表面，且所述第一掩膜层和第二掩膜层的材料不同；以所述第一掩膜层和第二掩膜层为掩膜，去除所述第一鳍部。在去除第一鳍部的过程中，对第二掩膜层的刻蚀损伤较小，提高形成的半导体结构的性能，同时，形成所述第一掩膜层的工艺简单，有利于降低工艺成本。

本发明授权半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括：第一区和第二区，且所述第一区上具有第一鳍部，所述第二区上具有第二鳍部；在所述基底上形成覆盖所述第二鳍部顶部和侧壁的第一掩膜层以及位于所述第一掩膜层的开口，且所述开口暴露出第一鳍部顶部表面和侧壁表面；在所述开口内形成覆盖所述第一鳍部侧壁的第二掩膜层，所述第二掩膜层暴露出所述第一鳍部的顶部表面，且所述第一掩膜层和所述第二掩膜层的材料不同；以所述第一掩膜层和所述第二掩膜层为掩膜，去除所述第一鳍部；所述第一掩膜层以及位于第一掩膜层内的开口的形成方法包括：在所述基底上形成第一掩膜材料层，所述第一掩膜材料层覆盖所述第一鳍部和第二鳍部；在所述第一掩膜材料层表面形成图形化层，所述图形化层暴露出第一区上的第一掩膜材料层表面；以所述图形化层为掩膜，刻蚀所述第一掩膜材料层，直至暴露出第一鳍部的顶部和部分侧壁，形成第一掩膜层以及位于第一掩膜层内的开口；去除所述第一鳍部的工艺对所述第二掩膜层的刻蚀速率远小于对所述第一鳍部的刻蚀速率。

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