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龙图腾网恭喜西安中车永电捷通电气有限公司申请的专利IGBT驱动电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114142833B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010915867.5，技术领域涉及：H03K3/353；该发明授权IGBT驱动电路是由刘海锋;郑松;杨春宇;李康乐设计研发完成，并于2020-09-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本IGBT驱动电路在说明书摘要公布了：本申请提供一种IGBT驱动电路，包括：绝缘栅双极型晶体管、软导通模块和软关断模块。软导通模块与绝缘栅双极型晶体管的门极连接，软导通模块包括第一场效应管和至少2个晶体管导通电路；第一场效应管用于接收第一脉冲宽度调制信号，第一脉冲宽度调制信号用于驱动第一场效应管以及至少2个晶体管导通电路依次导通；软关断模块与绝缘栅双极型晶体管的门极连接，软关断模块包括第二场效应管和至少2个晶体管关断电路；第二场效应管用于接收第二脉冲宽度调制信号，第二脉冲宽度调制信号用于驱动第二场效应管导通以及至少2个晶体管关断电路依次导通。本申请的IGBT驱动电路可以提高IGBT的使用可靠性。

本发明授权IGBT驱动电路在权利要求书中公布了：1.一种IGBT驱动电路，其特征在于，包括：绝缘栅双极型晶体管；软导通模块，与所述绝缘栅双极型晶体管的门极连接，所述软导通模块包括第一场效应管和至少2个晶体管导通电路，所述第一场效应管与所述至少2个晶体管导通电路依次连接；所述第一场效应管用于接收第一脉冲宽度调制信号，所述第一脉冲宽度调制信号用于驱动所述第一场效应管以及所述至少2个晶体管导通电路依次导通；所述至少2个晶体管导通电路包括至少2个不同的晶体管导通电路；软关断模块，与所述绝缘栅双极型晶体管的门极连接，所述软关断模块包括第二场效应管和至少2个晶体管关断电路，所述第二场效应管与所述至少2个晶体管关断电路依次连接；所述第二场效应管用于接收第二脉冲宽度调制信号，所述第二脉冲宽度调制信号用于驱动所述第二场效应管导通以及所述至少2个晶体管关断电路依次导通；所述至少2个晶体管关断电路包括至少2个不同的晶体管关断电路；所述至少2个晶体管关断电路包括第一晶体管关断电路、第二晶体管关断电路和第三晶体管关断电路，其中，所述第二晶体管关断电路包括电阻R4和电阻R5，所述电阻R4的第一端与所述第二场效应管的源极连接，所述电阻R4的第二端与所述电阻R5的第一端连接，所述电阻R5的第二端用于和负极电源连接；所述第一晶体管关断电路的第一端与所述电阻R4的第二端连接，且与所述电阻R5的第一端连接；所述第一晶体管关断电路的第二端用于和所述负极电源连接；所述第三晶体管关断电路的第一端与所述第二场效应管的源极连接，所述第三晶体管关断电路的第二端用于和所述负极电源连接；所述第二场效应管导通以驱动所述第一晶体管关断电路运行；所述第一晶体管关断电路运行以驱动所述第二晶体管关断电路运行；所述第二晶体管关断电路运行以驱动所述第三晶体管关断电路运行。

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