恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司曹志军获国家专利权
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龙图腾网恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114122132B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010890229.2，技术领域涉及：H10D30/62；该发明授权半导体结构及其形成方法是由曹志军设计研发完成，并于2020-08-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，包括目标层，所述基底包括用于形成目标图形的目标区和与切割位置对应的切割区；在目标层上形成分立的核心层；在所述核心层的侧壁上形成伪侧墙；在所述核心层和伪侧墙露出的目标层上形成填充层；去除部分高度的所述伪侧墙，剩余所述伪侧墙与所述填充层和核心层与围成沟槽；在所述沟槽中填充掩膜侧墙；去除位于所述切割区的掩膜侧墙；去除位于所述切割区的掩膜侧墙后，去除所述核心层和填充层；以所述掩膜侧墙为掩膜，去除位于所述切割区的剩余所述伪侧墙；以所述掩膜侧墙为掩膜，图形化目标层，形成位于所述目标区的目标图形。本发明实施例有利于增大去除切割区的掩膜侧墙的工艺窗口。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，包括目标层，所述基底包括用于形成目标图形的目标区和与切割位置对应的切割区；在所述目标层上形成分立的核心层；在所述核心层的侧壁上形成伪侧墙；在所述核心层和伪侧墙露出的目标层上形成填充层；去除部分高度的所述伪侧墙，剩余所述伪侧墙与所述填充层和核心层与围成沟槽；在所述沟槽中填充掩膜侧墙；去除位于所述切割区的掩膜侧墙，所述掩膜侧墙与所述伪侧墙之间具有刻蚀选择比；去除位于所述切割区的掩膜侧墙后，去除所述核心层和填充层；以所述掩膜侧墙为掩膜，去除位于所述切割区的剩余所述伪侧墙；以所述掩膜侧墙为掩膜，图形化所述目标层，形成位于所述目标区的目标图形。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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