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龙图腾网恭喜上海华力集成电路制造有限公司申请的专利场效应晶体管、其制造方法及其形成过程中的一版图获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114068527B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010780888.0，技术领域涉及：H10D30/62；该发明授权场效应晶体管、其制造方法及其形成过程中的一版图是由翁文寅设计研发完成，并于2020-08-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本场效应晶体管、其制造方法及其形成过程中的一版图在说明书摘要公布了：本发明涉及场效应晶体管结构，涉及半导体集成电路技术，把将栅极结构引出的连接孔设置在多条鳍体或半导体线体中的其中一鳍体或半导体线体的形成区域上，且使用于引出源极和漏极的连接孔与用于引出栅极结构的连接孔位于不同的鳍体或半导体线体的形成区域上，并与用于将源极和漏极引出的连接孔相邻的形成于同一鳍体或半导体线体上的栅极结构的顶部形成有一栅极盖帽层，栅极盖帽层将对应的栅极结构保护起来，用于引出栅极结构的连接孔两侧的源极和漏极上形成有埋孔，埋孔上形成有埋孔盖帽层，埋孔盖帽层将连接源极和漏极的埋孔保护起来，增加了半导体产品密度，且避免了短接，提高了场效应晶体管的可靠性。

本发明授权场效应晶体管、其制造方法及其形成过程中的一版图在权利要求书中公布了：1.一种场效应晶体管，其特征在于，包括：半导体衬底，半导体衬底上形成有多条鳍体或半导体线体，所述多条鳍体或半导体线体并行排列；多条多晶硅栅行，所述多条多晶硅栅行并行排列，并所述多条多晶硅栅行与所述多条鳍体或半导体线体交叉，所述多条鳍体或半导体线体与所述多条多晶硅栅行之间相交叠的区域形成有场效应晶体管的栅极结构；源极和漏极，所述源极和所述漏极形成在所述多条鳍体或半导体线体上，并位于所述栅极结构的两侧；以及层间介质层，所述层间介质层填充半导体衬底上的所述多条多晶硅栅行以及所述多条鳍体或半导体线体之间的间隙，并覆盖所述栅极结构，在所述层间介质层中形成有第一连接孔、第二连接孔、第三连接孔、第一埋孔和第二埋孔，其中所述第一连接孔和所述第二连接孔位于所述多条鳍体或半导体线体中的第一鳍体或半导体线体的形成区域上，以分别将形成于所述第一鳍体或半导体线体上的源极和漏极引出，并与所述第一连接孔和所述第二连接孔相邻的形成于所述第一鳍体或半导体线体上的栅极结构的顶部形成有一栅极盖帽层，所述第三连接孔位于所述多条鳍体或半导体线体中的第二鳍体或半导体线体的形成区域上，并与形成于所述第二鳍体或半导体线体上的栅极结构连接，以将该栅极结构引出，并在位于该栅极结构一侧的源极上形成有所述第一埋孔，在位于该栅极结构另一侧的漏极上形成有第二埋孔，在所述第一埋孔和所述第二埋孔上形成有埋孔盖帽层。

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