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龙图腾网恭喜成都京东方显示科技有限公司申请的专利低温多晶氧化物阵列基板及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111725244B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010729669.X，技术领域涉及：H10D86/60；该发明授权低温多晶氧化物阵列基板及其制作方法是由刘翔设计研发完成，并于2020-07-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本低温多晶氧化物阵列基板及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种低温多晶氧化物阵列基板及其制作方法。本发明提供的低温多晶氧化物阵列基板，包括衬底基板、第一遮光层、第二遮光层、第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，第一遮光层和第二遮光层间隔设置在衬底基板上，第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管沿阵列基板的层叠方向分别设置在第一遮光层和第二遮光层上方；第一薄膜晶体管包括第一半导体图形、第一源极、第一漏极和第一栅极；第二薄膜晶体管包括第二半导体图形、第二源极、第二漏极和第二栅极；其中，第一半导体图形为多晶硅半导体图形，第二半导体图形为金属氧化物半导体图形。本发明提供的阵列基板在满足高分辨率要求的同时，可降低显示面板的功耗。

本发明授权低温多晶氧化物阵列基板及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种低温多晶氧化物阵列基板，其特征在于，包括衬底基板、第一遮光层、第二遮光层、第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，所述第一遮光层和所述第二遮光层间隔设置在所述衬底基板上，所述衬底基板为玻璃基板或有机基板，所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管沿所述阵列基板的层叠方向分别设置在所述第一遮光层和所述第二遮光层上方；所述第一薄膜晶体管包括位于所述第一遮光层上方的第一半导体图形、分别连接在所述第一半导体图形两侧的第一源极和第一漏极以及间隔设置在所述第一半导体图形上方的第一栅极；所述第二薄膜晶体管包括位于所述第二遮光层上方的第二半导体图形、分别连接在所述第二半导体图形两侧的第二源极和第二漏极以及间隔设置在所述第二半导体图形上方的第二栅极；其中，所述第一半导体图形为多晶硅半导体图形，所述第二半导体图形为金属氧化物半导体图形；还包括缓冲层和栅极绝缘层，所述缓冲层设在所述衬底基板上且覆盖所述第一遮光层和所述第二遮光层，所述第一半导体图形和所述第二半导体图形设在所述缓冲层上；所述栅极绝缘层设在所述缓冲层上且覆盖所述第一半导体图形和所述第二半导体图形，所述第一栅极和所述第二栅极设在所述栅极绝缘层上；所述栅极绝缘层和所述缓冲层中设有贯通的第一接触孔和第二接触孔，所述第一栅极通过所述第一接触孔与所述第一遮光层接触，所述第二栅极通过所述第二接触孔与所述第二遮光层接触。

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