恭喜格科微电子(上海)有限公司赵立新获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网恭喜格科微电子(上海)有限公司申请的专利图像传感器的像素结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113921542B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010660129.0，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权图像传感器的像素结构及其形成方法是由赵立新;付文;黄琨设计研发完成，并于2020-07-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本图像传感器的像素结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种图像传感器的像素结构及其形成方法，通过在像素子阵列之间设置有背面深槽隔离结构，同一像素子阵列内部的多个像素单元之间没有背面深槽隔离结构，使得像素子阵列内部相邻像素单元之间的高能离子注入隔离可以取消或者变窄，减少了高能离子注入所带来的缺陷和噪声，提高了图像传感器的信噪比。像素子阵列内部允许离子注入隔离区域深度小于感光二极管深度，让感光二极管底部相互连接，以增加感光二极管的体积，进而提高像素单元的满阱容量。像素子阵列之间的背面深槽隔离和高能离子注入的显影周期放大到像素尺寸的数倍大小，显影后光阻与衬底之间的接触面积明显增加，因此显影过程光阻倒伏的现象可以得到明显改善，提高了工艺可靠性。
本发明授权图像传感器的像素结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种图像传感器的像素结构，其特征在于，包括多个像素子阵列，每个像素子阵列中包括多个像素单元；其中，像素子阵列之间既设置有背面深槽隔离结构，又设置有离子注入隔离区域以钝化背面深槽隔离结构表面，减少刻蚀所带来的暗电流；同一像素子阵列内部的多个像素单元之间没有背面深槽隔离结构,所述同一像素子阵列内部的多个像素单元之间仅有离子注入隔离区域，用以分隔相邻像素单元的感光二极管，减少像素单元之间的串扰；所述像素子阵列内部的多个像素单元具有相同或不同的滤光层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人格科微电子(上海)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区张江盛夏路560号2号楼11层；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号