恭喜夏普株式会社水崎真伸获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网恭喜夏普株式会社申请的专利发光装置以及不溶膜获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115868246B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080102627.1，技术领域涉及：H10K50/844；该发明授权发光装置以及不溶膜是由水崎真伸设计研发完成，并于2020-07-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本发光装置以及不溶膜在说明书摘要公布了：发光装置包括发光元件以及覆盖发光元件的不溶膜6。不溶膜6具有一层无机不溶层26和一层有机不溶层27。有机不溶层27包含高分子材料，该高分子材料在分子链上具有无机原子，还具有氮原子及氧原子中的至少一方。
本发明授权发光装置以及不溶膜在权利要求书中公布了：1.一种发光装置，其特征在于，包括:发光元件以及覆盖所述发光元件不溶膜，所述不溶膜具有一层无机不溶层和一层有机不溶层，所述有机不溶层包含高分子材料，所述高分子材料在分子链上具有无机原子，还具有氮原子及氧原子中的至少一方，所述高分子材料是聚膦腈，所述聚膦腈是由下述通式1表示的至少一种聚合物，[化1] 式中，R1及R2相互独立地表示-OCH2mCH3基、-NHCH2mCH3基、-OC6H4CH3基、-NHC6H4CH3基、-OCH2mCF3基、-NHCH2mCF3基、-OC6H4C2H5基、-NHC6H4C2H5基、-OCH2mF基、-NHCH2mF基、-N{CH2mCH3}2基、-N{C6H4CH3}2基、-N{CH2mCF3}2基、-N{C6H4C2H5}2基、或-N{CH2mF}2基，m分别独立地表示1~10的整数，n表示1~3000的整数。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人夏普株式会社，其通讯地址为：日本国大阪府堺市堺区匠町1番地；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号