恭喜台积电(中国)有限公司;台湾积体电路制造股份有限公司陈正龙获国家专利权
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龙图腾网恭喜台积电(中国)有限公司;台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113410139B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010625450.5，技术领域涉及：H10D30/65；该发明授权半导体结构及其形成方法是由陈正龙设计研发完成，并于2020-07-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本公开涉及半导体结构及其形成方法。一种形成半导体结构的方法，包括：在衬底中形成漂移阱，其中，漂移阱包括具有第一导电类型的第一掺杂剂；在漂移阱之上形成隔离结构；在漂移阱中并且与隔离结构间隔开地形成阱区域，使得漂移阱的顶部在阱区域与隔离结构之间；利用具有与第一导电类型不同的第二导电类型的第二掺杂剂来掺杂顶部，使得在掺杂顶部之后，顶部中的第二掺杂剂的掺杂浓度低于顶部中的第一掺杂剂的掺杂浓度；以及形成栅极结构，该栅极结构从隔离结构延伸到阱区域并且覆盖漂移阱的顶部。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种形成半导体结构的方法，包括：在衬底中形成漂移阱，其中，所述漂移阱包括具有第一导电类型的第一掺杂剂；在所述漂移阱之上形成隔离结构；在所述漂移阱中并且与所述隔离结构间隔开地形成阱区域，使得所述漂移阱的顶部在所述阱区域与所述隔离结构之间；利用具有与所述第一导电类型不同的第二导电类型的第二掺杂剂来掺杂所述顶部，使得在掺杂所述顶部之后，所述顶部中的所述第二掺杂剂的掺杂浓度低于所述顶部中的所述第一掺杂剂的掺杂浓度；以及形成栅极结构，所述栅极结构从所述隔离结构延伸到所述阱区域并且覆盖所述漂移阱的顶部。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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