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龙图腾网恭喜富士电机株式会社申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112470288B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980049420.X，技术领域涉及：H10D12/00；该发明授权半导体装置是由樱井洋辅;野口晴司;安喰彻设计研发完成，并于2019-12-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置在说明书摘要公布了：在半导体装置中，优选雪崩耐量高。提供一种半导体装置，具备：半导体基板；晶体管部，其在与半导体基板的上表面接触的区域具有发射区；二极管部，其在与半导体基板的下表面接触的区域具有阴极区并且在除阴极区以外的区域具有第二导电型的重叠区，并且在半导体基板的上表面在预定的排列方向上与晶体管部并列地配置；以及层间绝缘膜，其设置于半导体基板与发射电极之间并设置有用于将发射电极与二极管部连接的接触孔，重叠区以第一长度设置在发射区的端部与阴极区的端部之间，重叠区以第二长度设置在接触孔的端部与阴极区的端部之间，第一长度大于第二长度。

本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，具备：半导体基板，其具有第一导电型的漂移区；晶体管部，其在与所述半导体基板的上表面接触的区域具有掺杂浓度高于所述漂移区的掺杂浓度的第一导电型的发射区；二极管部，其在与所述半导体基板的下表面接触的区域具有掺杂浓度高于所述漂移区的掺杂浓度的第一导电型的阴极区并且在除所述阴极区以外的区域具有第二导电型的重叠区，并且，在所述半导体基板的上表面在预定的排列方向上与所述晶体管部并列地配置；发射电极，其配置于所述半导体基板的上方；以及层间绝缘膜，其设置于所述半导体基板与所述发射电极之间，并设置有用于将所述发射电极与所述二极管部连接的接触孔，在所述排列方向上，所述阴极区设置在比所述发射区的端部更靠近所述二极管部的中心侧的位置，所述重叠区以第一长度设置在所述发射区的端部与所述阴极区的端部之间，在与所述排列方向正交的延伸方向上，所述阴极区设置在比所述接触孔的端部更靠近所述二极管部的中心侧的位置，所述重叠区以第二长度设置在所述接触孔的端部与所述阴极区的端部之间，所述第一长度是所述第二长度的5倍以上。

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