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龙图腾网恭喜无锡市乾野微纳科技有限公司申请的专利一种大功率应用的集成MOSFET模块及冷却组件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119852260B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510329422.1，技术领域涉及：H01L23/367；该发明授权一种大功率应用的集成MOSFET模块及冷却组件是由吉炜设计研发完成，并于2025-03-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种大功率应用的集成MOSFET模块及冷却组件在说明书摘要公布了：本发明涉及电力电子技术领域，具体地说，涉及一种大功率应用的集成MOSFET模块及冷却组件。其包括封装壳体，封装壳体包括由上而下呈平行设置的上层隔离板、中层隔离板、下层隔离板以及设置于中层隔离板上的电路结构。本发明中，电子元件直接与上层隔离板接触，而电子元件的两面分别与导热硅脂接触，从而增加了导热面积，在电路工作时，电子元件产生的热量会直接通过上层隔离板以及通过导热硅脂间接传导至上层隔离板、下层隔离板，氮化铝材质的上层隔离板、中层隔离板、下层隔离板、固定屏蔽板、活动屏蔽板具有优异的电绝缘性和导热性能，能够及时将热量导出并散发掉，从而确保对电子元件的冷却效果。

本发明授权一种大功率应用的集成MOSFET模块及冷却组件在权利要求书中公布了：1.一种大功率应用的集成MOSFET模块，其特征在于：包括封装壳体（1），所述封装壳体（1）包括由上而下呈平行设置的上层隔离板（11a）、中层隔离板（11b）、下层隔离板（11c）以及设置于中层隔离板（11b）上的电路结构，所述下层隔离板（11c）设置有多个与所述电路结构电性连接的连接端子（113）；所述电路结构包括用于能量整流、变换和传输的芯片组以及芯片组连接的驱动组件、保护组件，所述芯片组通过所述驱动组件与外部电路电性连接；所述驱动组件以高速响应的方式控制所述芯片组的开关操作，所述保护组件用于释放所述芯片组的电极电荷防止过电压损坏；所述驱动组件包括MOS管Q1、Q2，所述MOS管Q1的栅极接电阻R3并接二极管D1正极，所述MOS管Q1的源极接电阻R1、VCC端并接所述二极管D1负极，所述MOS管Q1的漏极接Ui端并接地；所述MOS管Q2的栅极接电阻R2并接CONTROL端，所述MOS管Q2的源极接所述电阻R2另一端并接地，所述MOS管Q2的漏极接所述电阻R1另一端并接所述电阻R3另一端；所述MOS管Q2为N型MOS管。

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