买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜杭州谱析光晶半导体科技有限公司申请的专利一种低阈值电压的VDMOSFET器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119835980B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510309930.3，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种低阈值电压的VDMOSFET器件及其制备方法是由许一力;李鑫;刘倩倩设计研发完成，并于2025-03-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低阈值电压的VDMOSFET器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种低阈值电压的VDMOSFET器件，包括漏极、半导体外延层、源极、栅极以及覆盖在栅极表面的栅氧化层，所述半导体外延层内部通过离子注入形成有N衬底层、N漂移层、N阱层、P阱层和重掺杂P层，所述栅极包括有三角栅极和矩形栅极，所述覆盖在三角栅极表面的栅氧化层与N衬底层接触，并且所述栅氧化层将N漂移层分为左右两个部分。本发明通过将栅极设计成还包括三角栅极的设计，三角栅极尖端部分与漏极之间的栅极电场效果更好，但是由于尖端部分的三角栅极所包裹的栅氧化层更厚，这样从漏极流出的电荷就会沿着栅氧化层更快的向重掺杂N层内部聚集，此时在更小栅极电压环境下也能提供更多的电荷流动。

本发明授权一种低阈值电压的VDMOSFET器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种低阈值电压的VDMOSFET器件，包括漏极（1）、半导体外延层、源极（2）、栅极（3）以及覆盖在栅极（3）表面的栅氧化层（4），所述半导体外延层内部通过离子注入形成有N衬底层（5）、N漂移层（6）、N阱层（7）、P阱层（8）和重掺杂P层（10），其特征在于：所述栅极（3）包括有三角栅极（31）和矩形栅极（32），其中三角栅极（31）和矩形栅极（32）是连接在一起的“T”结构，且三角栅极（31）的一条边与矩形栅极（32）下边重合，所述覆盖在三角栅极（31）表面的栅氧化层（4）与N衬底层（5）接触，并且所述栅氧化层（4）将N漂移层（6）分为左右两个部分；所述P阱层（8）和三角栅极（31）之间通过离子注入形成有重掺杂N层（9），其中所述重掺杂N层（9）与N漂移层（6）接触。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人杭州谱析光晶半导体科技有限公司，其通讯地址为：310000 浙江省杭州市萧山区瓜沥镇航钱路168号3幢4层405(自主分割)；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。