恭喜江西萨瑞半导体技术有限公司余快获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网恭喜江西萨瑞半导体技术有限公司申请的专利一种超结MOS器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119815888B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510287094.3，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种超结MOS器件及其制备方法是由余快;黄宗源;谢良玉;黎赞芳设计研发完成，并于2025-03-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种超结MOS器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种超结MOS器件及其制备方法，通过在衬底上开设沟槽，且N型外延层嵌入沟槽中，由于沟槽中的N型外延层的掺杂浓度低于衬底的掺杂浓度，在后续加热过程中，会充当阻挡或缓冲的作用，有效防止衬底的高浓度离子扩散到超结耐压的有效区域，有效缓解了沟槽底部区域外延层浓度的升高造成的不能耗尽，电荷非平衡的问题，耗尽线平整处在沟槽底部位置，增大了工艺的窗口，提升了耐压，另外，在超结MOS器件导通时，电子到达沟槽底部会分散在衬底中，P型外延层下方的区域还是高浓度的区域，比传统整体增加外延层厚度的方法导通电阻更小。
本发明授权一种超结MOS器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种超结MOS器件，其特征在于，当超结MOS器件为NMOS晶体管时，包括具有沟槽的衬底、部分嵌入所述沟槽的N型外延层、设置于所述衬底上且位于所述N型外延层两侧的P型外延层、以及依次设于所述N型外延层上的氧化层和栅极多晶硅层，所述N型外延层的掺杂浓度低于所述衬底的掺杂浓度；其中，远离所述衬底的N型外延层和P型外延层中设置有阱区，所述阱区中设置有源极区域，部分阱区和部分源极区域与所述氧化层接触；当超结MOS器件为PMOS晶体管时，通过将所述NMOS晶体管中所有掺杂反型即得；所述沟槽的深度为1μm~4μm，所述N型外延层和所述P型外延层的掺杂浓度范围均为1E15cm-3~9E16cm-3，所述N型外延层和所述P型外延层的掺杂浓度相同。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人江西萨瑞半导体技术有限公司，其通讯地址为：330000 江西省南昌市临空经济区儒乐湖大街955号临瑞青年公寓1号楼8楼811室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号