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龙图腾网恭喜中国科学院合肥物质科学研究院;桂林智源电力电子有限公司申请的专利一种磁体换流开关的控制方法、系统和设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119781363B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510280402.X，技术领域涉及：G05B19/042；该发明授权一种磁体换流开关的控制方法、系统和设备是由吴亚楠;殷浩;李俊;何宝灿;卢晶;茆华风;茆智伟;许留伟;田贇祥;李刚设计研发完成，并于2025-03-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种磁体换流开关的控制方法、系统和设备在说明书摘要公布了：本发明公开的一种磁体换流开关的控制方法、系统和设备，涉及换流开关技术领域，通过将并联的若干MOSFET和移能电阻进行并联，得到磁体变流器的换流开关电路；采集所述磁体变流器的实际电流值；计算所述实际电流值与预设电流值的差值，得到磁体变流器的工作状态；所述工作状态包括稳态和退磁；当所述工作状态为稳态时，自适应调整所述MOSFET，以维持所述实际电流值；当所述工作状态为退磁时，缓慢关断所述MOSFET，直至所述实际电流值不大于所述预设电流值。采用本发明实施例，基于MOSFET导通内阻可变特性形成的换流开关电路，通过调节MOSFET栅源极电压，可缓慢关断实现换流，且调节范围灵活可控，能够消除换流过程开关损耗及关断过电压问题。

本发明授权一种磁体换流开关的控制方法、系统和设备在权利要求书中公布了：1.一种磁体换流开关的控制方法，其特征在于，包括：将并联的若干MOSFET和移能电阻进行并联，得到磁体变流器的换流开关电路；采集所述磁体变流器的实际电流值；计算所述实际电流值与预设电流值的差值，得到磁体变流器的工作状态；所述工作状态包括稳态和退磁；当所述工作状态为稳态时，自适应调整所述MOSFET，以维持所述实际电流值；当所述工作状态为退磁时，缓慢关断所述MOSFET，直至所述实际电流值不大于所述预设电流值；所述当所述工作状态为退磁时，缓慢关断所述MOSFET，直至所述实际电流值不大于所述预设电流值，包括：当所述工作状态为退磁时，按照预设步长降低各所述MOSFET的栅源极电压至0，以保证所述实际电流值不大于所述预设电流值；或，当所述工作状态为退磁时，按照预设步长降低各所述MOSFET的栅源极电压；若所述栅源极电压降至栅源阈值电压前，所述实际电流值不大于预设电流值，则自动调节所述栅源极电压，以使电流换流至所述MOSFET上，维持所述预设电流值；若所述栅源极电压降至栅源阈值电压后，所述实际电流值仍大于预设电流值，则关断所述MOSFET，以使电流换流至所述移能电阻上。

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