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龙图腾网恭喜深圳新声半导体有限公司申请的专利一种用于体声波滤波器的制作方法以及体声波滤波器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119582788B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510139485.0，技术领域涉及：H03H3/02；该发明授权一种用于体声波滤波器的制作方法以及体声波滤波器是由梁骥;冯端;邹洁设计研发完成，并于2025-02-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于体声波滤波器的制作方法以及体声波滤波器在说明书摘要公布了：本申请公开了一种用于体声波滤波器的制作方法以及体声波滤波器，包括：在预设的待移除结构上沉积压电层，其中压电层包括厚度相同的第一单晶压电层以及第二单晶压电层，并且第一单晶压电层与第二单晶压电层的晶相相反；在压电层远离待移除结构的一侧制作谐振结构；在谐振结构的另一侧制作滤波器支撑体；移除待移除结构，并在压电层上形成上电极结构，其中上电极结构与谐振结构相对于压电层设置；以及使谐振结构内形成谐振腔。

本发明授权一种用于体声波滤波器的制作方法以及体声波滤波器在权利要求书中公布了：1.一种用于体声波滤波器的制作方法，其特征在于，包括：在预设的待移除结构上沉积压电层，其中所述压电层包括厚度相同的第一单晶压电层以及第二单晶压电层，并且所述第一单晶压电层与所述第二单晶压电层的晶相相反，并且其中所述待移除结构包括单晶外延层，在预设的待移除结构上沉积压电层的操作，包括：在所述单晶外延层上沉积所述第一单晶压电层；以及在所述第一单晶压电层的另一侧沉积所述第二单晶压电层；在所述压电层远离所述待移除结构的一侧制作谐振结构；在所述谐振结构的另一侧制作滤波器支撑体；移除所述待移除结构，并在所述压电层上形成上电极结构，其中所述上电极结构与所述谐振结构相对于所述压电层设置，并且所述上电极结构包括沉积于所述第一单晶压电层一侧的上电极层和沉积于所述上电极层另一侧的第一钝化层，下电极结构包括沉积于所述第二单晶压电层一侧的下电极层，其中在所述压电层上形成上电极结构之后的操作，还包括：在所述上电极结构形成用于电连接的第一导体，并在所述压电层形成用于电连接的第二导体；以及使所述谐振结构内形成谐振腔。

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