恭喜合肥晶合集成电路股份有限公司鲍贤贤获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网恭喜合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利半导体器件版图结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119584645B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510127988.6，技术领域涉及：H10D89/10；该发明授权半导体器件版图结构是由鲍贤贤;邓少鹏设计研发完成，并于2025-02-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件版图结构在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体器件版图结构，包括：半导体衬底、栅极图形、漏端轻掺杂区和源端轻掺杂区，其中栅极图形位于半导体衬底上，漏端轻掺杂区和源端轻掺杂区分别位于栅极图形两侧的半导体衬底中，其中漏端轻掺杂区包括第一漏端轻掺杂区和若干第二漏端轻掺杂区，第一漏端轻掺杂区与栅极图形之间具有间隙，沿第一方向若干第二漏端轻掺杂区间隔排列，且若干第二漏端轻掺杂区与第一漏端轻掺杂区靠近栅极图形的一侧连接，第二漏端轻掺区延伸至栅极图形的边缘下方。本发明能够达到改善半导体器件的静电保护能力的目的，并且能够节约制备成本和提高制备效率。
本发明授权半导体器件版图结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件版图结构，其特征在于，包括：半导体衬底；栅极图形，位于所述半导体衬底上；漏端轻掺杂区和源端轻掺杂区，分别位于所述栅极图形两侧的半导体衬底中，其中所述漏端轻掺杂区包括第一漏端轻掺杂区和若干第二漏端轻掺杂区，所述第一漏端轻掺杂区与所述栅极图形之间具有间隙，沿第一方向若干所述第二漏端轻掺杂区间隔排列，且若干所述第二漏端轻掺杂区与所述第一漏端轻掺杂区靠近所述栅极图形的一侧连接，所述第二漏端轻掺区延伸至所述栅极图形的边缘下方；有源区，沿第二方向横跨所述栅极图形、所述第二漏端轻掺杂区、部分所述第一漏端轻掺杂区和部分所述源端轻掺杂区，所有所述第二漏端轻掺杂区均位于所述有源区中，所述第一方向和所述第二方向垂直相交。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人合肥晶合集成电路股份有限公司，其通讯地址为：230012 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号