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龙图腾网恭喜深圳天狼芯半导体有限公司申请的专利超结垂直双扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119562564B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510115048.5，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权超结垂直双扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法是由张国政设计研发完成，并于2025-01-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本超结垂直双扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种超结垂直双扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法，该超结垂直双扩散金属氧化物半导体器件包括：衬底结构；超结结构，设于衬底结构内；超结结构包括沿第一方向依次交替排布的第一掺杂区和第二掺杂区；第一方向垂直于衬底结构的厚度方向；第一浮空掺杂区，设于第一掺杂区内；体区，设于衬底结构内；体区位于第一掺杂区靠近衬底结构正面的一侧，且与第一掺杂区相连；沿衬底结构的厚度方向，体区和第一浮空掺杂区之间具有第一间距；源区，设于体区内；栅极，设于衬底结构上；其中，衬底结构、第二掺杂区、第一浮空掺杂区和源区为第一导电类型，第一掺杂区和体区为第二导电类型。本申请能够改善动态特性较差的问题。

本发明授权超结垂直双扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种超结垂直双扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，包括：衬底结构；超结结构，设于所述衬底结构内；所述超结结构包括沿第一方向依次交替排布的第一掺杂区和第二掺杂区；所述第一方向垂直于所述衬底结构的厚度方向；第一浮空掺杂区，设于所述第一掺杂区内；体区，设于所述衬底结构内；所述体区位于所述第一掺杂区靠近衬底结构正面的一侧，且与所述第一掺杂区相连；沿所述衬底结构的厚度方向，所述体区和所述第一浮空掺杂区之间具有第一间距；源区，设于所述体区内；栅极，设于所述衬底结构上；其中，所述衬底结构、所述第二掺杂区、所述第一浮空掺杂区和所述源区为第一导电类型，所述第一掺杂区和所述体区为第二导电类型；所述超结垂直双扩散金属氧化物半导体器件还包括第二浮空掺杂区，所述第二浮空掺杂区设于所述第一掺杂区内，且位于所述第一浮空掺杂区靠近所述衬底结构正面的一侧；所述第二浮空掺杂区和所述第一浮空掺杂区间隔设置；所述第二浮空掺杂区为第二导电类型，且所述第二浮空掺杂区的掺杂浓度大于所述第一掺杂区的掺杂浓度；所述第一掺杂区包括第一子掺杂区和第二子掺杂区，所述第二子掺杂区位于所述第一子掺杂区靠近所述衬底结构正面的一侧；所述第一浮空掺杂区位于所述第一子掺杂区内，所述第二浮空掺杂区设于所述第二子掺杂区内；所述第一掺杂区还包括第三子掺杂区，所述第三子掺杂区位于所述第一子掺杂区和所述第二子掺杂区之间；所述第三子掺杂区靠近所述衬底结构背面的一侧表面沿所述第一方向的尺寸小于所述第一子掺杂区靠近所述衬底结构正面的一侧表面沿所述第一方向的尺寸；所述第二子掺杂区靠近所述衬底结构背面的一侧表面沿所述第一方向的尺寸小于所述第三子掺杂区靠近所述衬底结构正面的一侧表面沿所述第一方向的尺寸；所述第二浮空掺杂区靠近所述体区的一端与所述体区连接，所述第二浮空掺杂区远离所述体区的一端与所述第三子掺杂区相间隔；部分所述第三子掺杂区与部分所述第一子掺杂区直接连接。

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