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龙图腾网恭喜深圳天狼芯半导体有限公司申请的专利超结垂直双扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119584604B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510114926.1，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权超结垂直双扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法是由张国政设计研发完成，并于2025-01-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本超结垂直双扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种超结垂直双扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法，该超结垂直双扩散金属氧化物半导体器件包括：衬底结构；超结结构，设于衬底结构内；超结结构包括沿第一方向依次交替排布的第一掺杂区和第二掺杂区；第一方向垂直于衬底结构的厚度方向；体区，设于衬底结构内，且位于第一掺杂区靠近衬底结构正面的一侧；源区，设于体区内；栅极，设于衬底结构上；其中，第一掺杂区包括与体区相连的第一子掺杂区，由第一子掺杂区沿第一方向的两侧边缘至第一子掺杂区的中心，至少部分第一子掺杂区的掺杂浓度递增；衬底结构、第二掺杂区和源区为第一导电类型，第一掺杂区和体区为第二导电类型。本申请能够改善器件动态特性。

本发明授权超结垂直双扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种超结垂直双扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，包括：衬底结构；超结结构，设于所述衬底结构内；所述超结结构包括沿第一方向依次交替排布的第一掺杂区和第二掺杂区；所述第一方向垂直于所述衬底结构的厚度方向；体区，设于所述衬底结构内，且位于所述第一掺杂区靠近衬底结构正面的一侧；源区，设于所述体区内；栅极，设于所述衬底结构上；其中，所述第一掺杂区包括与所述体区相连的第一子掺杂区，由所述第一子掺杂区沿所述第一方向的两侧边缘至所述第一子掺杂区的中心，至少部分所述第一子掺杂区的掺杂浓度递增；所述衬底结构、所述第二掺杂区和所述源区为第一导电类型，所述第一掺杂区和所述体区为第二导电类型；所述衬底结构内设有第一子沟槽，所述第一子掺杂区设于所述第一子沟槽内；所述第一子掺杂区包括在所述第一子沟槽的槽壁上依次层叠设置的至少两个子部，在任意相邻的两个所述子部中，靠近所述第一子沟槽的槽壁的所述子部的掺杂浓度小于远离所述第一子沟槽的槽壁的所述子部的掺杂浓度；所述第一掺杂区还包括第二子掺杂区，所述第二子掺杂区位于所述第一子掺杂区靠近所述衬底结构背面的一侧；所述衬底结构内设有第二子沟槽，所述第二子掺杂区设于所述第二子沟槽内，且所述第二子掺杂区远离所述第一子掺杂区的一端与所述衬底结构接触；所述超结垂直双扩散金属氧化物半导体器件还包括浮空掺杂区，所述浮空掺杂区设于所述第二子掺杂区内，且所述浮空掺杂区为第一导电类型；所述浮空掺杂区与所述第二子掺杂区接触；所述第一掺杂区还包括第三子掺杂区，所述第三子掺杂区位于所述第一子掺杂区和所述第二子掺杂区之间；所述第三子掺杂区与所述第二子掺杂区连接。

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