恭喜荣芯半导体(宁波)有限公司汪阳获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网恭喜荣芯半导体(宁波)有限公司申请的专利半导体结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119560418B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510097793.1，技术领域涉及：H01L21/67；该发明授权半导体结构及其制作方法是由汪阳;李志伟;苏延洪;万鑫;李侗玲设计研发完成，并于2025-01-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体结构及其制作方法。半导体结构的制作方法包括：提供基底，基底包括第一区域和第二区域，基底上形成有介质层；执行各向异性的第一干法刻蚀工艺，刻蚀介质层和基底并停止在基底中，在第一区域形成多个通孔；执行各向异性的第二干法刻蚀工艺，刻蚀第二区域的介质层和基底形成接触孔，同时刻蚀通孔侧边的介质层和基底扩大通孔形成标记沟槽。如此在同时刻蚀的接触孔和标记沟槽时，可以有效地抑制刻蚀标记沟槽时发生的限制扩散效应，提高标记沟槽的边界清晰度，提高套刻精度量测值的精度。本发明的半导体结构利用本发明提供的半导体结构的制作方法制成。
本发明授权半导体结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括第一区域和第二区域，所述基底上形成有介质层；执行各向异性的第一干法刻蚀工艺，刻蚀所述介质层和所述基底并停止在所述基底中，在所述第一区域形成多个通孔；在所述基底上形成图形化的第二掩模层，所述图形化的第二掩模层中具有接触孔图案和标记沟槽图案，一个所述标记沟槽图案与至少部分所述通孔位置对应且露出对应的所述通孔；在所述图形化的第二掩模层的掩蔽下，执行各向异性的第二干法刻蚀工艺，刻蚀所述第二区域的所述介质层和所述基底形成接触孔，同时刻蚀所述通孔侧边的所述介质层和所述基底扩大所述通孔形成标记沟槽；以及去除所述图形化的第二掩模层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人荣芯半导体(宁波)有限公司，其通讯地址为：315809 浙江省宁波市北仑区柴桥街道金水桥路28号4幢1号1层-1；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号