恭喜安徽华鑫微纳集成电路有限公司乔程获国家专利权
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龙图腾网恭喜安徽华鑫微纳集成电路有限公司申请的专利一种提升欧姆接触电阻良率的刻蚀方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119786345B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411845005.4,技术领域涉及:H01L21/3065;该发明授权一种提升欧姆接触电阻良率的刻蚀方法是由乔程;黄斌;张瑞朋;丁景兵设计研发完成,并于2024-12-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种提升欧姆接触电阻良率的刻蚀方法在说明书摘要公布了:本发明公开了一种提升欧姆接触电阻良率的刻蚀方法,包括以下步骤:S1,在Si衬底层或蓝宝石衬底层上使用MOCVD外延生长GaN及bufferGaN层、GaN沟道层、AlGaN势垒层、MOSiNcap层和ALN停止层;S2,沉积LPSIN介质层;S3,在LPSIN介质层上做出光刻图形;S4,在上述步骤做好的wafer上使用刻蚀机,按照PR胶层、LPSIN介质层、ALN停止层、MOSiNcap层、AlGaN势垒层、GaN沟道层的顺序刻蚀,获得相应的刻蚀后的图形;S5,进行去胶处理;S6,再次在去完胶的LPSIN介质层和步骤S4处理完形成的刻蚀后的图形表面进行光刻图形,沉积金属电极,然后刻蚀或剥离不需要的金属,形成稳定的欧姆接触电阻。本发明的刻蚀方法可以获得接触电阻小、表面形貌好、轮廓清晰度高和稳定可靠的欧姆接触电阻。
本发明授权一种提升欧姆接触电阻良率的刻蚀方法在权利要求书中公布了:1.一种提升欧姆接触电阻良率的刻蚀方法,其特征在于,包括以下步骤:S1,在Si衬底层或蓝宝石衬底101层上使用MOCVD外延生长GaN及bufferGaN层102、GaN沟道层103、AlGaN势垒层104、MOSiNcap层105和ALN停止层106;S2,在生长好的外延层使用低压气相沉积LPSIN介质层107;S3,在LPSIN介质层107上做出光刻图形;S4,在上述步骤做好的wafer上使用刻蚀机,按照PR胶层、LPSIN介质层107、ALN停止层106、MOSiNcap层105、AlGaN势垒层104、GaN沟道层103的顺序刻蚀,获得相应的刻蚀后的图形;刻蚀的具体步骤为:S41,先刻蚀PR胶层、LPSIN介质层107,先快后慢提升刻蚀效率,刻蚀到AlN层106停止;S42,切换气体,接着再刻蚀AlN停止层106和MOSiNcap层105;S43,刻蚀到MOSiNcap层105剩余2nm-30nm再次切换气体刻蚀余下的MOSiNcap层105;S44,再次切换气体刻蚀刻穿AlGaN势垒层104至部分GaN沟道层103;S5,进行去胶处理;S6,再次在去完胶的LPSIN介质层107和步骤S4处理完形成的刻蚀后的图形表面进行光刻图形,沉积金属电极,然后刻蚀或剥离不需要的金属,形成稳定的欧姆接触电阻。
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