恭喜琥崧科技集团股份有限公司李源林获国家专利权
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龙图腾网恭喜琥崧科技集团股份有限公司申请的专利一种制备AlN纳米膜的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119265512B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411794476.7，技术领域涉及：C23C14/06；该发明授权一种制备AlN纳米膜的方法是由李源林;刘明;赵亚楠;彭斌设计研发完成，并于2024-12-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种制备AlN纳米膜的方法在说明书摘要公布了：本发明具体涉及一种制备AlN纳米膜的方法及制备得到的AlN纳米膜。其中，制备AlN纳米膜的方法包括以下步骤：依次在多层石墨烯表面形成Al薄膜、氧化铝薄膜，然后将其置于氮气气氛条件下，通过碳热还原反应和氮化反应获得AlN薄膜，最后再除去多余碳，即得AlN纳米膜。该方法工艺简单，且可成功制备得到大尺寸、不易开裂的AlN纳米膜。
本发明授权一种制备AlN纳米膜的方法在权利要求书中公布了：1.一种制备AlN纳米膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：依次在多层石墨烯表面形成Al薄膜、氧化铝薄膜，然后将其置于氮气气氛条件下，通过碳热还原反应和氮化反应获得AlN薄膜，最后再除去多余碳，即得AlN纳米膜；其中，Al薄膜的厚度为10-30nm，氧化铝薄膜的厚度为200-500nm；碳热还原反应和氮化反应的温度为1350-1600℃；除去多余碳的方法为空气气氛下煅烧；Al薄膜和氧化铝薄膜均通过磁控溅射方式形成。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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