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龙图腾网获悉无锡国芯微高新技术有限公司申请的专利MEMS传感器自校准系统和自校准方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118894489B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411269695.3，技术领域涉及：B81C99/00；该发明授权MEMS传感器自校准系统和自校准方法是由邹海春;郑茳;肖佐楠;匡启和设计研发完成，并于2024-09-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本MEMS传感器自校准系统和自校准方法在说明书摘要公布了：本申请公开MEMS传感器自校准系统和自校准方法，涉及传感器检测领域，系统的激励信号模块连接MCU，根据控制信号输出激励信号并送入至传感器内部，改变传感器内部梳齿电容的电容值；MCU采集传感器的信号值并进行信号矫正输出；MCU获取各激励信号在对应梳齿电容值下输出的校准数据，并与激励信号作用下的实际信号值进行线性度比较，计算并更新传感器的自检增益；在正常工作模式下，MCU获取传感器的实测信号值，基于更新后自检增益计算输出校准信号值。该系统可以实现传感器工作过程中自动进行性能评估与校准，无需外部设备或人工干预，即可确保传感器输出数据的准确性和稳定性。

本发明授权MEMS传感器自校准系统和自校准方法在权利要求书中公布了：1.一种MEMS传感器自校准系统，其特征在于，所述系统包括激励信号模块、MEMS传感器和MCU芯片；所述MEMS传感器包括梳齿弹簧件和若干梳齿固定件，梳齿固定件分布在梳齿弹簧件的两侧；梳齿固定件和梳齿弹簧件的梳齿部分交叉分布，形成梳齿电容；在所有梳齿的尾端汇聚形成电信号出，并作为MEMS传感器输出的信号值；在梳齿弹簧件的两端部分别安装磁头，在远离磁头位置设置有微型电磁铁，且在微型电磁铁上缠绕有绕组；两个绕组分别输入激励信号，在电磁力作用下控制梳齿弹簧件产生位移，改变MEMS传感器内部梳齿电容的电容值；所述激励信号模块连接MCU芯片，包括多组呈梯度变化的激励信号源和开关电路，所有激励信号源接入开关电路中的对应信号开关，所有信号开关的汇聚端为激励信号输出端，并连接至MEMS传感器；校准模式下，所述开关电路基于MCU芯片的控制信号控制输出不同的激励信号，所述激励信号送入至MEMS传感器，控制MEMS传感器内部梳齿电容的电容值；所述MCU芯片采集MEMS传感器的信号值，并进行信号矫正输出；所述MCU获取各激励信号在对应梳齿电容值下输出的校准数据，并与激励信号作用下的实际信号值进行线性度比较，计算并更新MEMS传感器的自检增益；公式如下：S_GAIN’＝HSamp_ResultH表示校准数据，出厂阶段设置并烧录到MCU芯片中；Samp_Result表示实际信号值；S_GAIN’表示更新后的自检增益；在正常工作模式下，所述MCU获取MEMS传感器的实测信号值，并基于更新后自检增益计算输出校准信号值。

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