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龙图腾网恭喜杭州电子科技大学申请的专利一种用于计算磁晶耦合材料磁驱晶格熵变的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115101148B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210759010.8，技术领域涉及：G16C60/00；该发明授权一种用于计算磁晶耦合材料磁驱晶格熵变的方法是由张正明;王敦辉;胡鹏强;龚健虎;张成亮;汪鸿昌设计研发完成，并于2022-06-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于计算磁晶耦合材料磁驱晶格熵变的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种用于计算磁晶耦合材料磁驱晶格熵变的方法，包括：确定磁晶耦合材料相变过程中各磁场下高场相结构的体积分数λH；分别获取磁晶耦合材料零场相和高场相的德拜温度，依据德拜模型计算其零场相和高场相的晶格熵；建立零场相和高场相两相共存模型，计算等温条件下材料在相变温区内不同磁场下的晶格熵SLH；计算磁晶耦合材料在相转变过程中各磁场下的磁驱晶格熵变ΔSLH，确定ΔSLH趋于饱和时所需的最小磁场，并找出最大晶格熵变所在温区。本发明为在磁制冷材料中构筑强磁晶耦合、增大总熵变、减小驱动磁场、确定最佳制冷工作温区等方面提供必要的解决方案。

本发明授权一种用于计算磁晶耦合材料磁驱晶格熵变的方法在权利要求书中公布了：1.一种用于计算磁晶耦合材料磁驱晶格熵变的方法，其特征在于：包括以下具体步骤：步骤1，确定磁晶耦合材料相变过程中各磁场下高场相结构的体积分数λH；步骤2，分别获取磁晶耦合材料零场相和高场相的德拜温度和零场相即ZF相，高场相即HF相，依据德拜模型计算其零场相和高场相的晶格熵和步骤3，建立零场相和高场相两相共存模型，计算等温条件下材料在相变温区内不同磁场下的晶格熵SLH；步骤4，计算磁晶耦合材料相转变过程中各磁场下的磁驱晶格熵变ΔSLH，确定ΔSLH趋于饱和时所需的最小磁场，并找出最大晶格熵变所在温区；所述步骤3中，在相变温区内，若外加磁场为0，此时磁晶耦合材料完全处于零场相结构，则将材料的晶格自由能记为当外加磁场足够强，材料则完全转变为高场相结构，这时材料的晶格自由能写为而在较低的磁场H下，材料相转变尚未结束，正处于低场相和高场相两相共存区；设此时材料中包含的高场相体积分数为λH，0≤λH≤1，则材料中相应的高场相晶格自由能为零场相晶格自由能为因此，较低磁场H下材料处于两相共存区时的总晶格自由能FLH则为： 其中，λH为材料高场相结构体积分数，和分别为材料零场相结构和高场相结构的晶格自由能；晶格熵由得到，则在磁场H下，材料处于两相共存区时的总晶格熵SLH为： 其中，λH为材料高场相结构体积分数，和分别为材料零场相结构和高场相结构的晶格熵；因此通过建立两相共存模型计算磁晶耦合材料在相变温区内不同磁场下的晶格熵SLH。

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