恭喜华东师范大学杨长获国家专利权
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龙图腾网恭喜华东师范大学申请的专利一种高导电p型非晶态透明导电薄膜材料及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115188524B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210722076.X，技术领域涉及：H01B5/14；该发明授权一种高导电p型非晶态透明导电薄膜材料及其制备方法是由杨长;耿方娟;王亮君;阮丝园;杨佳霖设计研发完成，并于2022-06-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高导电p型非晶态透明导电薄膜材料及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高导电p型非晶态透明导电薄膜材料及其制备方法，属于光电子材料领域。本发明针对现有透明导电薄膜材料在非晶态时的p型导电率低这一难题，基于碘硫化亚铜材料获得具有极高p型电导率的非晶态透明薄膜，其分子式为CuIxSy。采用化学方法合成薄膜，通过硫与碘这两种重离子的协同作用调控薄膜的透明性和导电性。所制备的p型非晶CuIxSy薄膜不仅具有媲美商用ITO透明导电薄膜的电导率，还在可见光范围具有高透明性。本发明采用的原材料成本低廉，制备技术简易且适合规模化生产。
本发明授权一种高导电p型非晶态透明导电薄膜材料及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高导电p型非晶态透明导电薄膜材料，其特征在于，所述薄膜材料的组成为碘硫化亚铜，其分子式为CuIxSy，其中，0xy0.25；所述薄膜材料在保证可见光透过率70%的情况下，空穴载流子浓度1022cm-3，p型电导率在1000~5000Scm范围内连续可调。
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