恭喜湘潭大学杨穗获国家专利权
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龙图腾网恭喜湘潭大学申请的专利一种具有梯度带隙空穴传输层的钙钛矿太阳能电池结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114649478B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210263966.9，技术领域涉及：H10K30/30；该发明授权一种具有梯度带隙空穴传输层的钙钛矿太阳能电池结构是由杨穗;奚婷婷;易捷设计研发完成，并于2022-03-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有梯度带隙空穴传输层的钙钛矿太阳能电池结构在说明书摘要公布了：本发明公开一种具有梯度带隙空穴传输层的钙钛矿太阳能电池结构。空穴传输层与钙钛矿材料界面处导带带阶CBO为正，价带带阶VBO为0.09eV‑0.3eV，与钙钛矿材料接触界面的导带和价带逐步抬高至与背电极的接触界面。本发明具有梯度带隙的空穴传输层形成的电场有利于将光生空穴输运到背电极。正的CBO在钙钛矿层与空穴层产生一个尖峰能有效的防止空穴层中的电子向钙钛矿层输运，减少了与钙钛矿层光生空穴的复合，从而有利于减小复合电流，增大开路电压。稍正的VBO既能保证钙钛矿材料中的光生空穴有效隧穿到空穴传输层，同时能减小空穴的复合。与均匀带隙相比，本发明所述结构的转换效率明显提升。
本发明授权一种具有梯度带隙空穴传输层的钙钛矿太阳能电池结构在权利要求书中公布了：1.一种具有梯度带隙空穴传输层的钙钛矿太阳能电池结构，其特征在于：所述钙钛矿太阳能电池结构具有梯度带隙的空穴传输层，所述空穴传输层与钙钛矿材料接触界面的禁带宽度小于所述空穴传输层与背电极的禁带宽度；所述空穴传输层的导带底和价带顶从与钙钛矿材料接触界面逐步抬高至与背电极的接触界面；所述空穴传输层与钙钛矿材料界面处价带带阶VBO为正；所述空穴传输层与钙钛矿材料界面处导带带阶CBO为正；所述空穴传输层为无机黄铜矿半导体材料。
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