恭喜三菱电机株式会社惠良淳史获国家专利权
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龙图腾网恭喜三菱电机株式会社申请的专利光半导体装置的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114008748B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980097657.5，技术领域涉及：H01L21/3065；该发明授权光半导体装置的制造方法是由惠良淳史设计研发完成，并于2019-06-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本光半导体装置的制造方法在说明书摘要公布了：包括：在n型InP基板10的表面形成半导体层的工序；对所述半导体层的一部分进行蚀刻来形成活性层脊20的蚀刻工序；边供给结晶生长的原料气体和蚀刻气体，边去除附着于被蚀刻的半导体层的表面的Si的清洁工序；以及在比所述清洁工序中的温度高的处理温度下，在活性层脊20的两侧形成埋入层40的结晶生长工序，以保持脊形状的状态进行清洁。
本发明授权光半导体装置的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种光半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：在基板的表面形成半导体层的工序；对所述半导体层的一部分进行蚀刻来形成脊部的蚀刻工序；边供给结晶生长的原料气体和蚀刻气体，边去除被蚀刻的所述半导体层的表面的附着物的清洁工序；以及在比所述清洁工序中的温度高的处理温度下，在所述脊部的两侧形成电流阻挡层的结晶生长工序。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三菱电机株式会社，其通讯地址为：日本东京都；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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