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龙图腾网恭喜中核同创(成都)科技有限公司申请的专利一种射频感应耦合等离子体中和器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN109979794B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201711446538.5，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权一种射频感应耦合等离子体中和器是由陈庆川;聂军伟;黄琪;石连天设计研发完成，并于2017-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种射频感应耦合等离子体中和器在说明书摘要公布了：本发明属于低温等离子体技术领域，具体涉及一种射频感应耦合等离子体中和器。本发明包括用于容纳放电等离子体的等离子体放电腔、高压绝缘气路装置、射频耦合天线、用于收集离子和屏蔽射频容性耦合的阴极、屏蔽外壳和用于从等离子体放电腔中抽取电子束的阳极，该射频感应耦合等离子体中和器结构一方面可有效屏蔽射频耦合天线和放电等离子体间的容性耦合，降低射频容性耦合效应对等离子体放电腔内壁的溅射，减少放电等离子体中的杂质污染，同时也可有效减少射频感应耦合等离子体中和器陶瓷绝缘件上的污染，提高射频感应耦合等离子体中和器的寿命和稳定性，具有结构简单、无电极污染、引出电子束洁净、寿命长、工作稳定、束流强度及能量易控等优点。

本发明授权一种射频感应耦合等离子体中和器在权利要求书中公布了：1.一种射频感应耦合等离子体中和器，包括：用于容纳放电等离子体的等离子体放电腔1、高压绝缘气路装置2、射频耦合天线4、用于收集离子和屏蔽射频容性耦合的阴极3、屏蔽外壳10和用于从等离子体放电腔1中抽取电子束的阳极7，其特征在于：所述等离子体放电腔1为中空结构，其上端设有进气孔，下端设有电子束引出孔，等离子体放电腔1安装在屏蔽外壳10内部，屏蔽外壳10内部中间位置固定安装有固定法兰12,等离子体放电腔1安装在固定法兰12上；等离子体放电腔1上端设有气体入口，下端设有电子束引出口，屏蔽外壳10上端设置有气体入口，位置和等离子放电腔上端的气体入口位置对应，屏蔽外壳10上端气体入口和等离子体放电腔1上端进气孔之间设置有气路，屏蔽外壳10上端气体入口和等离子体放电腔1上端进气孔之间的部分的气路上装有高压绝缘气路装置2；圆柱形陶瓷等离子放电腔1外壁加工有螺旋形槽，用于安装射频耦合天线4，同时也提高了射频耦合天线4每匝间的绝缘强度，在等离子放电腔1外壁下端的环形槽处设置有引线管路，引线管路穿过固定法兰12后再穿过屏蔽外壳10，使得射频电源6通过匹配网络5与射频耦合天线4相连；阴极3位于等离子体放电腔1内部，在横切射频耦合天线4卷绕方向上有一个窄缝，阴极3窄缝处设有放电触发针11，阴极利用与射频耦合天线的感应耦合效应，以为触发针提供电离气体起辉的电压；等离子放电腔1内阴极3和位于等离子放电腔1下端的阳极构成射频感应耦合等离子体中和器电子束的引出系统，阳极7上开有引出孔，且该引出孔与等离子体放电腔1下端引出孔对正，其中阳极7和阴极3之间通过阳极电源8施加正偏压，阴极3和地之间通过阴极电源9施加负偏压；所述等离子体放电腔1采用低介质损耗的绝缘介质构成；所述阴极3呈筒形。

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