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龙图腾网恭喜上海林众电子科技有限公司申请的专利一种逆导型IGCT器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119866020B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510353151.3，技术领域涉及：H10D18/65；该发明授权一种逆导型IGCT器件是由王天意;张庆雷;王波;杨翔宇;王宇设计研发完成，并于2025-03-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种逆导型IGCT器件在说明书摘要公布了：本发明提供一种逆导型IGCT器件，N型第三掺杂区中设置掺杂浓度大于发射区的P型第四掺杂区，第四掺杂区中设置掺杂浓度大于第四掺杂区的P型第五掺杂区，当门极换流晶闸管导通时，沟槽栅隔离结构控制沟道关断，此时第四掺杂区和发射区被隔离开，不会影响快恢复二极管阳极的总掺杂浓度，保持较低的空穴抽取速度，以保证反向恢复过程具有更优软度，当门极换流晶闸管关断时，沟槽栅隔离结构控制沟道开启，此时第四掺杂区和发射区联通，小电流下第四掺杂区先参与到快恢复二极管导电，并随着电流不断提高，第五掺杂区也相继参与导电，在不同的电流等级下不同程度的提高了快恢复二极管P发射极的掺杂浓度，提高快恢复二极管抗浪涌电流能力。

本发明授权一种逆导型IGCT器件在权利要求书中公布了：1.一种逆导型IGCT器件，所述逆导型IGCT器件划分为GCT区域和FRD区域，其特征在于，所述逆导型IGCT器件包括： 第一导电类型的第一掺杂区，所述第一掺杂区包括基区和发射区，所述基区位于所述GCT区域内，所述发射区位于所述FRD区域内； 第二导电类型的第二掺杂区，位于所述第一掺杂区下方，其中，一部分所述第二掺杂区位于所述GCT区域内，一部分所述第二掺杂区位于所述FRD区域内； 沟槽栅隔离结构，位于所述基区和所述发射区之间，所述沟槽栅隔离结构包括贯穿所述第一掺杂区并延伸至所述第二掺杂区中的凹槽，所述凹槽的侧壁和底部设有栅介质层，所述凹槽中填充有栅导电层； 第二导电类型的第三掺杂区，位于所述发射区中，所述第三掺杂区和所述沟槽栅隔离结构的侧壁接触； 第一导电类型的第四掺杂区，位于所述第三掺杂区中，所述第四掺杂区的掺杂浓度大于所述发射区的掺杂浓度，所述第四掺杂区和所述沟槽栅隔离结构的侧壁接触； 第一导电类型的第五掺杂区，位于所述第四掺杂区中，所述第五掺杂区的掺杂浓度大于所述第四掺杂区的掺杂浓度。

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