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龙图腾网恭喜南京邮电大学申请的专利一种三维集成电路硅通孔的故障修复方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119920757B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510295860.0，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权一种三维集成电路硅通孔的故障修复方法及系统是由蔡志匡;杨大智;雷鸣飞;嵇苏宁;刘小婷;严大鹏;朱刚毅;王子轩;郭宇锋设计研发完成，并于2025-03-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种三维集成电路硅通孔的故障修复方法及系统在说明书摘要公布了：本发明公开了一种三维集成电路硅通孔的故障修复方法及系统，该方法首先建立由n×n个开关单元组成的开关矩阵，然后与n×n个硅通孔和n个冗余硅通孔连接，组成硅通孔修复电路，在定位故障硅通孔的位置后，将故障硅通孔作为起点，冗余硅通孔作为终点，进行起点和终点间的路径规划，最后按照规划的路径进行对故障硅通孔进行修复。本发明在不显著增加硬件与延迟开销的条件下，提升TSV修复效率与灵活性。

本发明授权一种三维集成电路硅通孔的故障修复方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种三维集成电路硅通孔的故障修复方法，其特征在于，包括如下步骤： （1）建立由n×n个开关单元组成的开关矩阵，开关单元包括首尾依次相连接的四个传输晶体管G1、G2、G3和G4，四个所述传输晶体管之间的连接点作为外部连接点，与其他开关单元连接组成开关矩阵； 开关单元还包括第五传输晶体管G5，G5的一端连接至G1和G4之间，其连接点称为第一节点； G5的另一端均连接硅通孔，开关矩阵中边缘行或边缘列上的第一节点均连接冗余硅通孔，得到硅通孔修复电路； （2）读取所述硅通孔修复电路中硅通孔的测试结果，得到m个故障硅通孔的位置，m≤n；将硅通孔修复电路的电路图转换成网络节点图，网络节点图中，节点表示传输晶体管端与端连接处，两个节点相连组成一条边； （3）将故障硅通孔作为起点，冗余硅通孔作为终点，按照预设的硅通孔的优先级顺序，利用广度优先搜索算法进行起点和终点间的路径规划，得到m条路径，利用所述路径对故障硅通孔进行修复； 其中，每条路径包含的网络节点图中的边，代表该传输晶体管为导通状态，其余传输晶体管为截止状态。

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