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龙图腾网恭喜泰科天润半导体科技(北京)有限公司申请的专利一种半超结侧面隔离平面栅碳化硅VDMOS及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119789459B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510272561.5，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种半超结侧面隔离平面栅碳化硅VDMOS及制备方法是由李昀佶;周海;施广彦;何佳设计研发完成，并于2025-03-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半超结侧面隔离平面栅碳化硅VDMOS及制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半超结侧面隔离平面栅碳化硅VDMOS及制备方法，所述方法包括：在碳化硅衬底下侧面淀积金属，形成漏极金属层；外延生长，得到第一漂移区；离子注入形成第一源区；淀积形成第一绝缘介质层；外延生成形成第二漂移区，漂移层包括第一漂移区以及第二漂移区；离子注入形成第二源区，P型源区包括第一源区以及第二源区；淀积形成第二绝缘介质层，绝缘介质区包括第一绝缘介质层以及第二绝缘介质层；重新形成阻挡层，刻蚀，离子注入形成柱区、P型阱区、凸起部以及N型源区；重新形成阻挡层，刻蚀，淀积形成栅极介质层；重新形成阻挡层，刻蚀，淀积金属，形成栅极金属层及源极金属层；有效提高器件的耐压能力，降低器件导通电阻。

本发明授权一种半超结侧面隔离平面栅碳化硅VDMOS及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半超结侧面隔离平面栅碳化硅VDMOS的制备方法，其特征在于：包括如下步骤： 步骤1、在碳化硅衬底下侧面淀积金属，形成漏极金属层；在碳化硅衬底上外延生长，得到第一漂移区； 步骤2、在第一漂移区上方形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，向第一漂移区进行离子注入形成第一源区； 步骤3、去除步骤2的阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，刻蚀第一漂移区至碳化硅衬底上侧面，淀积形成第一绝缘介质层； 步骤4、去除步骤3的阻挡层，外延生成形成第二漂移区，漂移层包括第一漂移区以及第二漂移区； 步骤5、在第二漂移区上方形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，离子注入形成第二源区，P型源区包括第一源区以及第二源区； 步骤6、去除步骤5的阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，刻蚀第二漂移区至第一绝缘介质层上侧面，淀积形成第二绝缘介质层，绝缘介质区包括第一绝缘介质层以及第二绝缘介质层； 步骤7、去除步骤6的阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，向漂移层进行离子注入形成柱区； 步骤8、去除步骤7的阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，向漂移层进行离子注入形成P型阱区以及凸起部； 步骤9、去除步骤8的阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，向P型阱区进行离子注入，形成N型源区； 步骤10、去除步骤9的阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，淀积形成栅极介质层； 步骤11、去除步骤10的阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，淀积金属，形成栅极金属层； 步骤12、去除步骤11的阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，淀积金属，形成源极金属层，去除阻挡层，完成制备； 所述漂移层下侧面连接至所述碳化硅衬底上侧面；所述漂移层内设有柱区以及凸起部；所述P型阱区下侧面连接至所述漂移层上侧面以及柱区上侧面，所述P型阱区内侧面连接至所述凸起部外侧面；所述P型阱区内设有N型源区；所述绝缘介质区下侧面连接至所述碳化硅衬底上侧面，所述绝缘介质区内侧面连接至所述漂移层外侧面以及P型阱区外侧面；所述P型源区下侧面连接至所述碳化硅衬底上侧面，所述P型源区内侧面连接至所述绝缘介质区外侧面；所述栅极介质层下侧面连接所述凸起部上侧面以及P型阱区上侧面；所述栅极金属层下侧面连接至所述栅极介质层上侧面；所述源极金属层分别连接所述P型源区、绝缘介质区、P型阱区以及N型源区；所述漏极金属层连接至所述碳化硅衬底下侧面。

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