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龙图腾网恭喜合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利一种图像传感器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119815950B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510273439.X，技术领域涉及：H10F39/12；该发明授权一种图像传感器及其制备方法是由陈维邦;郑志成设计研发完成，并于2025-03-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种图像传感器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种图像传感器及其制备方法，图像传感器的制备方法，包括：在衬底的一侧形成多组周期性间隔设置的第一深沟槽和第二深沟槽，第二深沟槽包括相互连通的第一凹槽和第二凹槽，第二凹槽位于第一凹槽底部，第一凹槽的槽宽大于第二凹槽的槽宽，与现有技术中的深沟槽隔离结构的上半部的pitch值和下半部的pitch值一致相比，本实施例第一凹槽的槽宽、第一深沟槽的槽宽以及第一凹槽和第一深凹槽之间的间距之和大于第二凹槽的槽宽、第一深沟槽的槽宽以及第二凹槽和第一深凹槽之间的间距之和，这样使得每个光电二极管可以在相邻深沟槽之间的上半部和下半部获得两种像素值。

本发明授权一种图像传感器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种图像传感器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 在衬底的一侧形成多组周期性间隔设置的第一深沟槽和第二深沟槽，所述第二深沟槽包括相互连通的第一凹槽和第二凹槽，所述第二凹槽位于所述第一凹槽底部，所述第一凹槽的槽宽大于所述第二凹槽的槽宽； 在所述第一深沟槽和第二深沟槽中填充绝缘材料，以形成第一深沟槽结构和第二深沟槽结构，在所述第一深沟槽结构和第二深沟槽结构之间形成光电二极管，从而形成图像传感器； 其中，形成所述第一深沟槽的具体方法为： 提供衬底，所述衬底具有背面，在所述背面上形成有第二芯模材料层，所述第二芯模材料层上设置有多个间隔设置的第一芯模结构，每个所述第一芯模结构的两侧设置有第一侧墙结构； 去除所述第一芯模结构，并以所述第一侧墙结构为掩模刻蚀所述第二芯模材料层，以得到多个间隔设置的第二芯模结构，去除所述第一侧墙结构，并在每个所述第二芯模结构的两侧形成第二侧墙结构； 通过干法刻蚀工艺去除所述第二芯模结构，以形成开口，所述开口暴露出所述背面，还在相邻所述开口之间的所述衬底中形成第一凹槽； 形成所述第二深沟槽的具体方法为： 以所述第二侧墙结构为掩模，通过干法刻蚀工艺刻蚀所述衬底，以在所述开口处形成第一深沟槽，在所述第一凹槽下方形成第二凹槽； 去除所述第二侧墙。

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