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龙图腾网恭喜中材高新氮化物陶瓷有限公司申请的专利一种高硬度氮化硅陶瓷的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119751088B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510266737.6，技术领域涉及：C04B35/591；该发明授权一种高硬度氮化硅陶瓷的制备方法是由孙峰;黄硕;王路;王再义;王硕;李东升设计研发完成，并于2025-03-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高硬度氮化硅陶瓷的制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及氮化硅材料技术领域，具体涉及一种高硬度氮化硅陶瓷的制备方法，包括如下步骤，S1,将硅源、钛源和碳源混合，在氮气气氛中烧结，得到中间体；S2,将中间体和烧结助剂混合、烧结，得到高硬度氮化硅陶瓷。本发明一方面通过原位合成的方式提高了TiN在氮化硅晶粒中的分布均匀性，不仅实现了力学性能的提高，还提高了烧结体颜色的均匀性，另一方面，TiN颗粒与氮化硅晶粒的生成同步发生，提高氮化硅与第二相的界面结合力，进一步提高界面润湿性，同时增强了氮化硅与第二相的界面结合强度，实现氮化硅硬度的提高。

本发明授权一种高硬度氮化硅陶瓷的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高硬度氮化硅陶瓷的制备方法，其特征在于，包括如下步骤， S1,将硅源、钛源和碳源混合，在氮气气氛中烧结，得到中间体， 所述硅源包括二氧化硅、硅胶和硅酸盐中的至少一种， 所述碳源包括碳粉或糖类中的至少一种， 钛源与硅源的摩尔比为0.5-8:100，钛源和硅源的摩尔总和与碳源的摩尔比为1:2-6， 所述钛源包括二氧化钛、钛酸四丁酯、钛酸乙酯、钛酸异丙酯中的至少一种， 步骤S1中烧结的步骤具体包括在5-10℃min升温速率下，将温度升高至1200-1250℃，保持0.5-2h，在2-5℃min的升温速率下，将温度升高至1350-1400℃，保持10-20h，在2-6℃min降温速率下，将温度降至1200-1250℃，保持0.5-1.5h,在2-6℃min降温速率下，将温度降至25-35℃， 所述步骤S1还包括对中间体除碳的步骤，具体步骤包括，将中间体在650-700℃下煅烧1-4h； S2,将中间体和烧结助剂混合、烧结，得到高硬度氮化硅陶瓷， 所述烧结助剂包括金属氧化物， 步骤S2中烧结的步骤具体包括在2-6℃min升温速率下，将温度升高至1200-1250℃，保持0.5-1.5h，在2-6℃min的升温速率下，将温度升高至1650-1850℃，保持2-10h，在2-8℃min降温速率下，将温度降至1200-1250℃，保持0.5-1.5h,在3-8℃min降温速率下，将温度降至25-35℃。

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