买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利在栅极之间的沟槽中沉积应力介质层的方法及半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119742224B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510262515.7，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权在栅极之间的沟槽中沉积应力介质层的方法及半导体器件是由张伟;卢涛;周纪;苏圣哲;罗钦贤设计研发完成，并于2025-03-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本在栅极之间的沟槽中沉积应力介质层的方法及半导体器件在说明书摘要公布了：本申请公开了在栅极之间的沟槽中沉积应力介质层的方法及半导体器件，方法包括：提供至少具有第一栅极和第二栅极的半导体结构；在半导体结构的表面形成第一应力介质层；蚀刻第一应力介质层；在半导体结构的表面形成第二应力介质层；第一应力介质层为按如下形成的压应力介质层：第一沉积处理，在半导体结构的表面沉积具有第一沉积厚度的第一介质层；对第一介质层的整个膜层进行第一等离子体处理，其中第一沉积厚度不超过第一等离子体处理的处理深度；基于设置的第一循环次数，多次循环执行第一沉积处理和第一等离子体处理，在半导体结构的表面形成压应力介质层。本申请可改善伪栅移除后的栅极结构的形貌，进而改善金属填充。

本发明授权在栅极之间的沟槽中沉积应力介质层的方法及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种在栅极之间的沟槽中沉积应力介质层的方法，其特征在于，包括： 提供半导体结构，所述半导体结构上至少具有第一栅极和第二栅极，所述第一栅极和所述第二栅极之间具有一个沟槽； 在所述半导体结构的表面形成第一应力介质层以部分填充所述沟槽； 蚀刻所述第一应力介质层以移除所述第一栅极顶部的第一应力介质层以及所述第二栅极顶部的第一应力介质层； 在所述半导体结构的表面形成第二应力介质层以填满所述沟槽； 其中，所述第一应力介质层为通过如下步骤形成的压应力介质层： 第一沉积处理，基于设置的第一沉积厚度，采用HARP工艺在半导体结构的表面沉积一层第一介质层； 第一等离子体处理，基于设置的第一等离子体处理功率和第一等离子体处理时间，采用包含惰性气体的等离子体对所述第一介质层的整个膜层进行第一等离子体处理，其中所述第一介质层的所述第一沉积厚度不超过所述第一等离子体处理在所述第一等离子体处理功率和第一等离子体处理时间下的处理深度； 基于设置的第一循环次数，多次循环执行所述第一沉积处理和所述第一等离子体处理，在所述半导体结构的表面形成压应力介质层； 形成所述第一应力介质层的步骤满足以下条件： 所述第一沉积厚度为40Å~70Å； 所述第一等离子体处理功率为400W~600W； 所述第一等离子体处理时间为15s~20s； 所述惰性气体为Ar或He； 所述循环次数为10次~20次； 所述第一沉积处理的腔室压力为500torr~600torr；以及 所述第一等离子体处理的腔室压力为20torr~50torr。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人合肥晶合集成电路股份有限公司，其通讯地址为：230012 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。