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龙图腾网恭喜宁波领开半导体技术有限公司申请的专利组对结构非易失性存储器的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119767677B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510260237.1，技术领域涉及：H10B43/10；该发明授权组对结构非易失性存储器的制备方法是由薛磊;金波设计研发完成，并于2025-03-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本组对结构非易失性存储器的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种组对结构非易失性存储器的制备方法。该制备方法包括：提供基底，基底上形成有依次堆叠的栅极材料层、第一硬掩膜层和第二硬掩膜层；在第二硬掩膜层中形成第一开口；在第一开口内形成第一侧墙，第一侧墙为贴覆第一开口侧壁的环状结构；在第一开口内填充第三硬掩膜层；去除第二硬掩膜层；在第一侧墙的外侧形成第二侧墙；去除第三硬掩膜层；以第一侧墙和第二侧墙为掩膜，向下依次刻蚀第一硬掩膜层和栅极材料层，形成栅极环；以及刻蚀去除栅极环相对的两个端部，使得栅极环切分出同一组对存储单元的两个存储管的栅电极。如此可以缩小组对结构非易失性存储器的组对存储单元的面积，减小存储芯片的尺寸和成本。

本发明授权组对结构非易失性存储器的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种组对结构非易失性存储器的制备方法，所述组对结构非易失性存储器的组对存储单元包括电连接的两个存储管，其特征在于，所述制备方法包括： 提供基底，所述基底上形成有自下而上依次堆叠的栅极材料层、第一硬掩膜层和第二硬掩膜层； 在所述第二硬掩膜层中形成第一开口； 在所述第一开口内形成第一侧墙，所述第一侧墙为贴覆所述第一开口侧壁的环状结构； 在所述第一开口内填充第三硬掩膜层； 去除所述第二硬掩膜层； 在所述第一侧墙的外侧形成第二侧墙，所述第二侧墙环绕且贴覆所述第一侧墙； 去除所述第三硬掩膜层； 以所述第一侧墙和所述第二侧墙为掩膜，向下依次刻蚀所述第一硬掩膜层和所述栅极材料层，形成栅极环； 刻蚀去除所述栅极环相对的两个端部，使得所述栅极环切分出同一所述组对存储单元的两个存储管的栅电极； 其中，所述第一侧墙和所述第二侧墙的材料相同；所述第一侧墙、所述第一硬掩膜层、所述第二硬掩膜层和所述第三硬掩膜层的材料不相同。

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