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龙图腾网恭喜润新微电子(大连)有限公司申请的专利一种耗尽型GaN器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119767736B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510261179.4，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种耗尽型GaN器件及其制备方法是由任永硕;王荣华;梁辉南设计研发完成，并于2025-03-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种耗尽型GaN器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于半导体技术领域，具体公开了一种耗尽型GaN器件及其制备方法，耗尽型GaN器件包括源电极、漏电极、栅电极、栅结构、场板单元、栅连接组件、场板连接组件、栅驱动电阻、场板驱动电阻、第一介电层和第二介电层，栅结构设置有多个，场板单元包括多个场板；多个栅结构的一端均与栅连接组件的一端电性连接，栅连接组件的另一端与栅驱动电阻的一端电性连接；场板单元的多个场板的一端均与场板连接组件的一端连接，场板连接组件的另一端与场板驱动电阻的一端电性连接；栅驱动电阻及场板驱动电阻均与栅电极并联连接。本发明的耗尽型GaN器件，栅结构和场板单元分别具有各自的驱动回路，便于分压调节。

本发明授权一种耗尽型GaN器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种耗尽型GaN器件，其特征在于，包括源电极、漏电极、栅电极、栅结构、场板单元、栅连接组件、场板连接组件、栅驱动电阻、场板驱动电阻以及由下至上依次设置的衬底、叠层结构、第一介电层和第二介电层，所述栅结构位于所述第一介电层中，所述场板单元位于所述第二介电层中，所述栅结构设置有多个，所述场板单元包括多个场板，所述场板单元中的场板的数量等于所述栅结构的数量； 多个所述栅结构的一端均与所述栅连接组件的一端电性连接，所述栅连接组件的另一端与所述栅驱动电阻的一端电性连接；所述场板单元中的多个所述场板的一端均与所述场板连接组件的一端连接，所述场板连接组件的另一端与所述场板驱动电阻的一端电性连接；所述栅驱动电阻及场板驱动电阻均与所述栅电极并联连接。

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