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龙图腾网恭喜中国科学院上海技术物理研究所申请的专利一种从可见到中红外可调谐的超窄带吸收器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116263517B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111514743.7，技术领域涉及：G02B5/08；该发明授权一种从可见到中红外可调谐的超窄带吸收器是由周靖;余宇;代旭;储泽世;李方哲;布勇浩;祝天运;甄玉冉;邓杰;陈效双设计研发完成，并于2021-12-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种从可见到中红外可调谐的超窄带吸收器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种从可见到中红外可调谐的超窄带吸收器，其结构包括衬底、底部布拉格反射层、谐振腔层、下电极、介电间隔层、上电极、可互相静电栅控的石墨烯双层结构及顶部布拉格反射层。该吸收器基于法布里‑珀罗腔共振，在底部和顶部布拉格反射层之间的谐振腔层内形成共振模式。该共振模式的辐射损耗速率主要由布拉格反射层的构成组分、周期数以及石墨烯的费米能级共同决定，而吸收损耗速率由石墨烯的费米能级决定。共振模式的带宽由辐射损耗速率和吸收损耗速率的大小共同决定。通过构建组分以及周期数合适的布拉格反射层、调控石墨烯的费米能级，使系统达到临界耦合，可以实现从可见到中红外可调谐的超窄带完美吸收。

本发明授权一种从可见到中红外可调谐的超窄带吸收器在权利要求书中公布了：1.一种从可见到中红外可调谐的超窄带吸收器，其特征在于： 所述的吸收器结构为：在衬底1上有底部布拉格反射层2、由第一可相互静电栅控的石墨烯层3-1、介电间隔层3-2、第二可相互静电栅控的石墨烯层3-3构成的谐振腔3位于底部布拉格反射层2上、第一可相互静电栅控的石墨烯层3-1上有下电极4、第二可相互静电栅控的石墨烯层3-3上有上电极5及谐振腔3上有顶部布拉格反射层6； 所述的衬底1是表面有300nm厚的SiO2膜的Si衬底； 所述的谐振腔层3包括第一可相互静电栅控的石墨烯层3-1、介电间隔层3-2和第二可相互静电栅控的石墨烯层3-3，所述的第一可互相静电栅控的石墨烯层3-1是单原子层石墨烯，其位于底部布拉格反射层2上；所述的介电间隔层3-2为SiO2、Al2O3或HfO2薄膜层，其位于第一可互相静电栅控的石墨烯层3-1上，厚度h2＝20nm；所述的第二可互相静电栅控的石墨烯层3-3是单原子层石墨烯，其位于介电间隔层3-2上； 所述的下电极4是Au电极； 所述的上电极5是Au电极。

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