买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜重庆康佳光电技术研究院有限公司申请的专利一种发光芯片制造方法、发光芯片和发光装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114429966B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111529623.4，技术领域涉及：H10H29/49；该发明授权一种发光芯片制造方法、发光芯片和发光装置是由戴广超;马非凡;曹进;赵世雄;王子川设计研发完成，并于2021-12-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种发光芯片制造方法、发光芯片和发光装置在说明书摘要公布了：本发明涉及一种发光芯片制造方法、发光芯片和发光装置。发光芯片制造方法包括：提供一外延片，外延片包括衬底和外延层，外延层形成有台阶结构；在外延片上沉积绝缘层；图案化绝缘层，使对应于发光芯片的第一电极和第二电极的区域具有等高的电极设置面，以及形成导电通道，第一导电通道远离衬底的一端位于第一电极对应的电极设置面内；在对应于第一电极和第二电极的区域沉积形成第一电极和第二电极。该发光芯片制造方法使得外延片满足了在不影响转移和使用的前提下同时沉积形成第一电极和第二电极的条件，有利于简化发光芯片的电极制作流程，且利于降低金属材料的成本。

本发明授权一种发光芯片制造方法、发光芯片和发光装置在权利要求书中公布了：1.一种发光芯片制造方法，其特征在于， 包括： 提供一外延片，所述外延片包括衬底和设于所述衬底的一侧上的外延层，所述外延层依次远离衬底包括第一半导体层、有源层以及第二半导体层，所述外延层形成有台阶结构以使所述第一半导体层的部分区域露出以设置发光芯片的第一电极； 在所述外延片上沉积绝缘层，所述绝缘层的厚度不小于所述台阶结构的底部所处平面至所述外延层最远离所述衬底的平面的距离，所述绝缘层沉积后，在对应于所述台阶结构处形成凹陷区域； 图案化所述绝缘层，使对应于所述发光芯片的所述第一电极和第二电极的区域具有等高的电极设置面，以及至少还形成对应于所述第一电极的第一导电通道，所述第一导电通道的截面积小于所述凹陷区域，所述第一导电通道靠近所述衬底的一端使所述第一半导体层露出，所述第一导电通道远离所述衬底的一端位于所述第一电极对应的所述电极设置面内； 其中，所述图案化绝缘层的具体步骤包括： 在所述绝缘层上形成光刻胶层； 采用透光程度不同的多个透光区域的光刻掩膜板对所述光刻胶层进行图案化； 采用经过图案化的光刻胶层作为新的光刻掩膜板，对所述绝缘层进行图案化，所述绝缘层上将形成深度相同的第一电极图形和第二电极图形； 在对应于所述第一电极图形和第二电极图形处沉积形成所述第一电极和所述第二电极，所述第一电极与所述第二电极在同一道工艺中同步形成，且所述第一电极和第二电极远离所述外延片的一侧处于同一平面上。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人重庆康佳光电技术研究院有限公司，其通讯地址为：402760 重庆市璧山区璧泉街道钨山路69号（1号厂房）；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。