恭喜台湾积体电路制造股份有限公司陈永祥获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体器件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113363269B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110558088.9，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权半导体器件及其形成方法是由陈永祥;叶玉隆;陈彦秀;苏柏菖;陈政贤设计研发完成，并于2021-05-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其形成方法在说明书摘要公布了：提供了半导体器件。半导体器件包括位于衬底内的第一深沟槽隔离DTI结构。第一DTI结构包括阻挡结构、介电结构和铜结构。介电结构位于阻挡结构和铜结构之间。阻挡结构位于衬底和介电结构之间。本申请的实施例还提供了用于形成半导体器件的方法。
本发明授权半导体器件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 第一深沟槽隔离DTI结构，位于衬底和第一介电层内，其中： 所述第一深沟槽隔离结构包括阻挡结构、介电结构和铜结构； 所述介电结构位于所述阻挡结构和所述铜结构之间；以及 所述阻挡结构位于所述衬底和所述介电结构之间， 其中，所述铜结构从所述介电结构的第一侧壁完全填充到所述介电结构的第二侧壁，使得所述铜结构中不存在孔隙。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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