恭喜台湾积体电路制造股份有限公司张雅岚获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体器件和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113451209B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010941168.8，技术领域涉及：H10D30/62；该发明授权半导体器件和方法是由张雅岚;陈亭纲;黄泰钧;徐志安;卢永诚设计研发完成，并于2020-09-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件和方法在说明书摘要公布了：本公开涉及半导体器件和方法。实施例包括一种方法，该方法包括：在半导体器件的金属栅极结构的切割金属栅极区域中形成开口；在开口中共形地沉积第一电介质层；在第一电介质层之上共形地沉积硅层；对硅层执行氧化工艺以形成第一氧化硅层；用第二氧化硅层填充开口；对第二氧化硅层和第一电介质层执行化学机械抛光，以形成切割金属栅极插塞，化学机械抛光暴露出半导体器件的金属栅极结构；以及形成到金属栅极结构的第一部分的第一接触件和到金属栅极结构的第二部分的第二接触件，金属栅极结构的第一部分和第二部分被切割金属栅极插塞分离。
本发明授权半导体器件和方法在权利要求书中公布了：1.一种用于形成半导体器件的方法，包括： 在半导体器件的金属栅极结构的切割金属栅极区域中形成开口； 在所述开口中共形地沉积第一电介质层； 在所述第一电介质层之上共形地沉积硅层； 对所述硅层执行氧化工艺以形成第一氧化硅层； 用第二氧化硅层填充所述开口；以及 对所述第二氧化硅层和所述第一电介质层执行化学机械抛光，以形成切割金属栅极插塞，所述化学机械抛光暴露出所述半导体器件的金属栅极结构， 其中，对所述硅层执行氧化工艺将所述硅层的全部转换为所述第一氧化硅层，并且其中，所述第二氧化硅层被直接地形成在所述第一氧化硅层上。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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