恭喜恩智浦有限公司阿卜杜勒拉蒂夫·扎纳提获国家专利权
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龙图腾网恭喜恩智浦有限公司申请的专利半导体装置和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112289779B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010683626.2，技术领域涉及：H01L23/66；该发明授权半导体装置和方法是由阿卜杜勒拉蒂夫·扎纳提;迈克尔·B·文森特设计研发完成，并于2020-07-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置和方法在说明书摘要公布了：一种半导体装置及其制造方法。所述装置包括包封物。所述装置还包括所述包封物中的半导体管芯。所述装置另外包括所述包封物中的电磁辐射发射和接收部件。所述装置还包括具有第一表面和第二表面的中间部分。所述第一表面附接到所述包封物。所述装置还包括附接到所述中间部分的所述第二表面的天线部分。所述天线部分包括用于传送电磁辐射的一个或多个开口。所述中间部分包括与所述天线部分的所述开口对准的一个或多个对应开口。所述天线部分的每个开口和所述中间部分的每个对应开口形成电邻接通道，用于将所述电磁辐射传送到所述包封物中的所述电磁辐射发射和接收部件。
本发明授权半导体装置和方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，包括： 包封物； 所述包封物中的半导体管芯； 所述包封物中的电磁辐射发射和接收部件； 中间部分，所述中间部分具有第一表面和第二表面，其中所述第一表面附接到所述包封物；以及 天线部分，所述天线部分附接到所述中间部分的所述第二表面， 其中所述天线部分包括用于传送电磁辐射的一个或多个开口， 其中所述中间部分包括与所述天线部分的所述开口对准的一个或多个对应开口，并且 其中所述天线部分的每个开口和所述中间部分的每个对应开口形成电邻接通道，用于将所述电磁辐射传送到所述包封物中的所述电磁辐射发射和接收部件。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
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