恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司张田田获国家专利权
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龙图腾网恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体器件的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112447585B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910832664.7，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权半导体器件的形成方法是由张田田;许增升;谭晶晶设计研发完成，并于2019-09-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件的形成方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体器件的形成方法，其形成方法包括：提供基底，所述基底上具有层间介质层；刻蚀所述层间介质层形成接触孔，所述接触孔暴露出所述基底表面；在所述接触孔的底部和侧壁上形成粘附层；采用选择性生长法在所述粘附层的底部和侧壁上形成金属籽层；在所述金属籽层上形成金属层，所述金属层填充满所述接触孔。本发明使得形成的金属层与接触孔之间具有较好的成形质量，保证形成的半导体器件具有良好的性能和良率。
本发明授权半导体器件的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底上具有层间介质层； 刻蚀所述层间介质层形成接触孔，所述接触孔暴露出所述基底表面； 在所述接触孔的底部和侧壁上形成粘附层，所述粘附层的表面具有电荷和极性键； 采用选择性生长法在所述粘附层的底部和侧壁上形成金属籽层，使得所述金属籽层的表面具有大量的极性键或电荷，所述金属籽层与所述粘附层表面性质相互吸引； 在所述金属籽层上形成金属层，所述金属层填充满所述接触孔。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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