恭喜中天科技精密材料有限公司;江苏中天科技股份有限公司汤明明获国家专利权
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龙图腾网恭喜中天科技精密材料有限公司;江苏中天科技股份有限公司申请的专利光纤及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111323871B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201811527691.5，技术领域涉及：G02B6/036；该发明授权光纤及其制备方法是由汤明明;钱宜刚;沈一春;何亮;秦钰;吴椿烽设计研发完成，并于2018-12-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本光纤及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种光纤及其制备方法，涉及光通信技术领域，其中光纤包括由内而外依次包括单掺锗二氧化硅芯层、隔断层、单掺氟二氧化硅光学包层及外包层，所述隔断层用于防止单掺锗二氧化硅芯层中锗和单掺氟二氧化硅光学包层中氟相互扩散；其中所述单掺氟二氧化硅光学包层分为三层，从内到外依次为浅掺氟层、主掺氟层及辅掺氟层，所述浅掺氟层及辅掺氟层的折射率均大于所述主掺氟层的折射率。通过单掺氟二氧化硅光学包层的分层设置，使SiO2内掺氟的量在半径方向有一个浓度逐渐变化的过程，这种变化的过程可以使光纤截面粘度沿半径方向呈逐渐变化的趋势，这种结构可以在得到光纤低宏弯损耗的情况下降低光纤应力的产生，得到低损耗低弯曲损耗光纤。
本发明授权光纤及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种光纤，其特征在于：由内而外依次包括单掺锗二氧化硅芯层、隔断层、单掺氟二氧化硅光学包层及外包层，所述隔断层用于防止单掺锗二氧化硅芯层中锗和单掺氟二氧化硅光学包层中氟相互扩散；其中所述单掺氟二氧化硅光学包层分为三层，从内到外依次为浅掺氟层、主掺氟层及辅掺氟层，所述浅掺氟层及辅掺氟层的折射率均大于所述主掺氟层的折射率； 所述隔断层、所述浅掺氟层、所述主掺氟层及所述辅掺氟层中相邻的每两层之间的折射率渐变变化，并控制每1μm内的折射率变化为0.03%~0.05%。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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