恭喜台湾积体电路制造股份有限公司蔡俊雄获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利鳍式场效晶体管装置结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN109585553B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201810575190.8，技术领域涉及：H10D30/62；该发明授权鳍式场效晶体管装置结构是由蔡俊雄;沙哈吉·B·摩尔;彭成毅;林佑明;游国丰;方子韦设计研发完成，并于2018-06-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本鳍式场效晶体管装置结构在说明书摘要公布了：一种鳍式场效晶体管装置结构及其形成方法被提供。此鳍式场效晶体管装置结构包括延伸于基板之上的鳍片结构，以及形成于此鳍片结构的中间部分之上的栅极结构。此鳍片结构的中间部分被上述栅极结构所包覆。此鳍式场效晶体管装置结构包括相邻于上述栅极结构的源极漏极结构，且此源极漏极结构包括位于源极漏极结构的外部分的掺杂区域，且此掺杂区域包括镓。此鳍式场效晶体管装置结构包括形成于上述源极漏极结构的掺杂区域上的金属硅化物层，且此金属硅化物层直接接触上述源极漏极结构的掺杂区域。
本发明授权鳍式场效晶体管装置结构在权利要求书中公布了：1.一种鳍式场效晶体管装置结构，包括： 一鳍片结构，延伸于一基板之上； 一栅极结构，形成于该鳍片结构的一中间部分之上，其中该鳍片结构的该中间部分被该栅极结构所包覆； 一层间介电层，形成于该鳍片结构之上且相邻于该栅极结构，其中该层间介电层被掺杂镓，且该层间介电层的镓浓度从底部到顶部逐渐增加； 一源极漏极结构，相邻于该栅极结构，其中该源极漏极结构包括一掺杂区域位于该源极漏极结构的一外部分，且该掺杂区域包括镓；以及 一金属硅化物层，形成于该源极漏极结构的该掺杂区域之上，其中该金属硅化物层直接接触该源极漏极结构的该掺杂区域。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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