恭喜瓦里安半导体设备公司法兰克·辛克莱获国家专利权
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龙图腾网恭喜瓦里安半导体设备公司申请的专利离子植入系统及其方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114758940B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210419772.3，技术领域涉及：H01J37/317；该发明授权离子植入系统及其方法是由法兰克·辛克莱;丹尼尔·泰格尔;可劳斯·贝克设计研发完成，并于2018-03-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本离子植入系统及其方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种离子植入系统及其方法。离子植入系统可包括：离子源，产生离子束；衬底平台，设置在离子源的下游；减速级，包括使离子束偏转的组件，减速级设置在离子源与衬底平台之间；以及气体来源，气体来源直接耦合到所述减速级以向所述减速级提供氢气或氦气，其中从离子束产生的高能中性物质不散射到衬底平台。本公开的离子植入系统能提供方便且安全地减少由高能中性物质引起的能量污染的优点。
本发明授权离子植入系统及其方法在权利要求书中公布了：1.一种离子植入系统，其特征在于，包括： 离子源，产生离子束； 衬底平台，设置在所述离子源的下游； 减速级，包括使所述离子束偏转的组件，所述减速级设置在所述离子源与所述衬底平台之间；以及 气体来源，所述气体来源直接耦合到所述减速级以向所述减速级提供氦气， 其中从所述离子束产生的高能中性物质不散射到所述衬底平台。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人瓦里安半导体设备公司，其通讯地址为：美国麻萨诸塞州格洛斯特郡都利路35号(邮递区号:01930)；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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