恭喜晶元光电股份有限公司叶宗勋获国家专利权
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龙图腾网恭喜晶元光电股份有限公司申请的专利光电元件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113659049B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110822932.4，技术领域涉及：H10H20/816；该发明授权光电元件是由叶宗勋;张利铭;沈建赋设计研发完成，并于2018-02-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本光电元件在说明书摘要公布了：本发明公开一种光电元件，包括半导体叠层，其包括第一半导体层、活性层位于第一半导体层上以及第二半导体层位于活性层上；电流阻挡区，形成于第二半导体层上且包括第一衬垫部；第一开口，形成于第一衬垫部中；透明导电层，形成于电流阻挡区上及半导体叠层的表面上，且透明导电层包括第二开口曝露出第一开口；以及第一电极，形成于透明导电层上，包含第一焊垫电极位于第一衬垫部上；其中第一焊垫电极通过第一开口及第二开口接触第二半导体层，其中第一焊垫电极的宽度比第二开口的宽度小，第一焊垫电极与第一衬垫部接触，但不与透明导电层接触。
本发明授权光电元件在权利要求书中公布了：1.一种光电元件，包括： 半导体叠层，包括第一半导体层、活性层位于该第一半导体层上以及第二半导体层位于该活性层上； 电流阻挡区，形成于该第二半导体层上且包括第一衬垫部； 第一开口，形成于该第一衬垫部中； 透明导电层，形成于该电流阻挡区上及该半导体叠层的表面上，且该透明导电层包括第二开口曝露出该第一开口；以及 第一电极，形成于该透明导电层上，包含第一焊垫电极位于该第一衬垫部上； 其中该第一焊垫电极通过该第一开口及该第二开口接触该第二半导体层； 其中该第一焊垫电极的宽度比该第二开口的宽度小，该第一焊垫电极与该第一衬垫部接触，但不与该透明导电层接触；以及 其中该第一开口面积为A2，该第一衬垫部与该第一开口的面积总和为A3，以及A2A3＝1％～80％。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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